SK 海力士攜 SanDisk 發表全球首個 HBF 標準規範，Google 選邊站了
AI 推論時代的記憶體架構迎來關鍵轉折，SK 海力士（SK hynix）與 SanDisk 於 2026 年 8 月 4 日，在矽谷年度儲存產業盛會 Flash Memory Summit 2026（FMS 2026）開幕當天，共同發布全球首份 HBF（High Bandwidth Flash）標準規範，被視為「下一個 AI 記憶體層技術」走向標準化的關鍵一步。Google 與 AI 晶片新創 Tenstorrent 更已相繼加入 HBF 聯盟，競爭陣營逐漸成形。
HBF 是什麼？解決 HBM 解決不了的容量問題
隨著 AI 產業重心正從訓練轉向推論，而推論所需的 KV 快取會隨對話輪數與上下文長度持續膨脹，讓「容量」與「頻寬」雙雙成為推論階段的記憶體瓶頸。HBM 儘管在訓練時代表現亮眼，卻因為是 DRAM 技術路線，單顆 16 層堆疊的 HBM4 容量約僅 48GB，在大規模推論場景中捉襟見肘；傳統 SSD 雖有容量優勢，傳輸速度也成為最大弱點。
HBF 的技術邏輯介於 HBM 與 SSD 之間：將多層 NAND Flash 垂直堆疊、以 TSV（矽穿孔）技術連接，讓單一 HBF 堆疊可在達到 TB/s 級頻寬的同時，提供比 HBM 還高十倍以上的容量。互連介面方面，HBF 採用業界通用的 UCIe 標準與 GPU、CPU 連接，而非封閉的私有介面，為異質整合奠定基礎。
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（從 AI 推論時代看記憶體階層洗牌：一文看懂 HBF、SSD POD 與 SRAM 差在哪？）
首份規格內容：三級頻寬、最高 512GB 容量
這次發布的標準規範定義了 HBF 的核心技術邊界。容量方面，規格涵蓋兩種配置，分別採用 8 層與 16 層 NAND 晶片堆疊，最大支援 512GB；頻寬方面，則劃分為 Grade 1 至 Grade 3 三個等級，傳輸速率範圍從 0.4TB/s 到 3.0TB/s，讓不同應用場景得以依需求選配。
除了容量與頻寬規格外，這份規範還涵蓋三大技術面向：HBF Die 堆疊製程的互連介面與電氣特性、封裝可靠性與製程指引，以及讀寫操作的軟體使用指引。規範已由全球最大的開放資料中心技術協作組織 OCP（Open Compute Project）正式發布，有望加速整個供應鏈的跟進採用。
（NAND Flash 比 HBM 便宜百倍？傳奇程式設計師：AI 推論記憶體架構應重新設計）
選邊站競爭開打！Google、Tenstorrent 加入 HBF 聯盟
新聞稿中也揭露，科技巨頭 Google 與 AI 晶片新創 Tenstorrent 已加入其 HBF 聯盟。作為全球最大的 AI 基礎設施採購方之一，也是自研 TPU 的 AI 晶片設計大廠，Google 選擇在此時選邊站，對仍在標準建立階段的 HBF 而言，是極具份量的背書。
SK 海力士表示，在 2025 年 8 月與 SanDisk 初步啟動標準化合作、2026 年 2 月在 OCP 框架下成立工作小組、到如今公開首份規格，未來將持續以開放合作擴大生態系，並同步提升技術成熟度與市場接受度。
FMS 2026：三方論壇登場、V10 NAND 曝光
聚焦近期於加州舉辦的 FMS 2026，SK 海力士除了發佈 HBF 規格外，還首度公開其第十代（V10）4D NAND Flash 的晶圓與產品實物。這款採用 375 層堆疊設計的 V10 NAND，相較前一代在效能功耗比提升 2.5 倍，尤其適合資料中心等對效能有極高要求的 AI 基礎設施環境。公司預計 2027 年初啟動基於 V10 的高效能、大容量企業級固態硬碟（eSSD）量產，進一步鞏固其在 AI 時代 NAND Flash 市場的技術領先優勢。
同時，SK 海力士解決方案 AT 副總裁 Euicheol Lim、Google DeepMind 研究員 Xiaoyu Ma，以及 SanDisk 副總裁 Rajeev Nagabhirava 三人也預計將在 8 月 6 日出席圓桌論壇，重點討論「以 HBF 突破記憶體牆（Memory Wall）」議題。
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