三星妥協了！傳接受輝達要求，NVHBM 晶片採台積電 3 奈米製程
根據韓媒《首爾經濟日報》18 日報導，三星電子（Samsung Electronics）已決定採用台積電製程，生產為輝達（Nvidia）開發的次世代客製化高頻寬記憶體（HBM）「NVHBM」的基底晶粒（base die）。這代表三星長期堅持「記憶體與邏輯晶片一手包辦」的一條龍模式，首度因配合輝達的技術規格而被打破。
輝達要求三大記憶體供應商：基底晶粒用台積電 3 奈米
報導指出，輝達已要求三星、SK 海力士（SK hynix）與美光（Micron）三家記憶體供應商，一律採用台積電 3 奈米製程製造 NVHBM 的基底晶粒。同時，輝達也要求三家廠商將核心晶粒（core die，即實際負責儲存資料的記憶體晶片）統一採用第六代 DRAM 製程，也就是業界所稱的「1c」。
NVHBM 是輝達在今年 8 月發表的客製化 HBM 產品，架構建立在第七代 HBM 標準 HBM4E 之上。基底晶粒負責邏輯功能，被視為 HBM 的核心組件之一。
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為何輝達堅持統一規格？三星點頭了
據悉，輝達提出這項要求的原因，在於各家 HBM 供應商製造方式不同，讓輝達難以確保自行設計的晶片獲得一致的效能表現。此外，統一規格也能減輕逐一驗證各家產品的負擔。
三星負責晶圓代工業務的 DS（Device Solutions）部門經內部評估後，決定接受輝達的條件。
三星首度與台積電在 HBM 製造階段合作，標準 HBM 仍一條龍
三星在四年前曾與台積電合作，確保 HBM 與 GPU 連接時，與台積電封裝製程相容。不過報導指出，這是兩家公司首度在 HBM 製造階段合作。
在標準 HBM 產品方面，三星並未改變策略。報導提到，三星今年率先在全球量產第六代 HBM4，目前正進行量產驗證的第七代 HBM4E，兩者的基底晶粒皆採用三星自家 4 奈米晶圓代工製程，核心晶粒則在華城與平澤園區的 1c 產線生產。
至於供應超微（AMD）等其他客戶的客製化 HBM，三星同樣計畫維持一條龍模式。
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保留自家代工退路，應對台積電產能風險
然而，三星並未完全放棄以自家晶圓廠生產 NVHBM 基底晶粒的可能性。一名業界人士表示，三星正在驗證自家晶圓廠是否也能生產 NVHBM 的基底晶粒，以防 NVHBM 的需求超過台積電的產能。
從這起事件可以看出，在 AI 晶片供應鏈中，輝達對規格的主導權持續擴大，記憶體廠商的差異化空間可能因此縮小。對台積電而言，這代表其先進製程進一步延伸到 HBM 內部的邏輯層。至於三星一條龍模式的優勢能否在其他客戶身上延續，以及後續 SK 海力士與美光的因應，則仍待觀察。
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