三星推 HBM4E，搶攻輝達「NVHBM」關鍵地位
人工智慧晶片巨頭輝達（NVIDIA）正調整其下一代運算架構的記憶體策略，轉向以客製化高頻寬記憶體（HBM）為核心的「NVHBM」專案。Citrini 分析師 Jukan 指出，三星電子（Samsung Electronics）正開發 8 層堆疊架構的第七代 HBM（HBM4E），以滿足輝達針對高速傳輸與量產穩定性的客製化需求。三星憑藉記憶體與晶圓代工邏輯製程整合的垂直供應能力，預計在此次客製化 HBM 供應鏈中取得關鍵地位。整體市場分析顯示，晶片設計廠與記憶體製造商之間的合作模式正逐步轉向高度客製化的系統級整合。
輝達推 NVHBM 重新定義記憶體策略
輝達在推動高階人工智慧繪圖處理器（AI GPU）發展時，面臨記憶體堆疊高度增加所帶來的散熱與良率挑戰。為此，輝達日前推出「NVHBM」專案，將客製化記憶體控制器下放並整合至 3D HBM 堆疊的最底層邏輯晶粒（Base Die）中。
Citrini 分析師 Jukan 引述業內人士消息，稱三星電子正在開發一款8層堆疊的HBM4E（第七代HBM）產品，以滿足輝達的需求。與三星最初準備的12層和16層堆疊產品相比，新設計的堆疊高度更低。輝達也要求三星將每個引腳速度目標設定為 17-18Gbps，比三星最初 HBM4E 樣品的 14.4 Gbps 速度高出約 20%。
廣告 - 內文未完請往下捲動
(輝達推客製化 NVHBM，將自研晶片對手收編，AWS Trainium4 搶先導入)
三星垂直整合優勢：客製化 HBM 迎來競爭轉機
在新一代客製化高頻寬記憶體架構下，底層基礎晶片（Base Die）的邏輯製程設計變得至關重要。Jukan 認為，三星電子具備動態隨機存取記憶體（DRAM）與先進晶圓代工（Foundry）的整合製造優勢，能提供一站式解決方案。相較於仰賴外部代工的競爭對手，三星在 HBM4 與 HBM4E 世代展現出製程彈性，有望在輝達專屬記憶體供應鏈中佔據關鍵份額。
擴展互連規模：Rubin Ultra 架構的系統級效能平衡
輝達預計最快於次世代架構 Rubin Ultra 中導入 NVHBM，並結合專屬的 NVLink 互連技術。該系統預計將繪圖處理器的互連規模自現行 72 顆大幅提升至 576 顆，規模擴展達 8 倍。透過降低單一晶片的堆疊高度，系統雖在單一處理器容量上做出取捨，但藉由數百顆高頻寬、高傳輸速度晶片的大規模並行運算，將可實現整體運算效能的最優化與量產穩定度。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
