三星 12 層 HBM4E 通過輝達品質驗證！搶先美光、SK 海力士
《韓國經濟》10 月 7 日獨家報導，三星電子（Samsung Electronics）記憶體事業部已在 9 月底，通過輝達（NVIDIA）及多家超大規模資料中心業者（hyperscaler）對第七代高頻寬記憶體（HBM4E）12 層堆疊產品的品質驗證（qualification test）。業界認為，這讓三星在與 SK 海力士、美光競爭的次世代 HBM 供貨戰中，有機會搶先一步。
三星 HBM4E 12 層通過多家客戶驗證，輝達也點頭
報導指出，三星 HBM4E 12 層產品已通過輝達等多家客戶的檢驗程序。這套程序是依客戶要求的規格，逐項檢驗產品品質與穩定性，是 HBM 取得訂單前的必經關卡。
時間軸上，三星今年 2 月宣布 HBM4 開始量產出貨，5 月再宣布向全球客戶供應 HBM4E 12 層樣品。當時三星未公布客戶名稱，業界普遍推測是輝達與主要 hyperscaler。
廣告 - 內文未完請往下捲動
需要留意的是，品質驗證通過不等於拿到訂單。報導明確指出，各家客戶的供貨量、合約規模與量產供貨時間點，目前都仍未確認。
在另一條路線上，輝達正推動「NVHBM」專案，將客製化記憶體控制器下放並整合到 HBM 堆疊最底層的基礎晶粒（Base Die）。三星對此也正開發 8 層堆疊的 HBM4E 來滿足輝達需求，目標單 pin 速度為 17 至 18Gbps，預計最快會在 Rubin Ultra 中導入。
HBM4E 12 層規格：48GB 容量、效能提升 16%
HBM4E 是以 HBM4 的基本架構為基礎，進一步提升運作速度、頻寬與電源效率的升級版本。依三星先前公開的資料，這款 12 層產品的規格如下：
- 容量：48GB
- 速度：單 pin 最高 16Gbps，較前一代 HBM4 快 20% 以上
- 能源效率：透過低功耗設計與封裝結構最佳化，較前代提升 16%
- 製程：採用 1c（第六代 10 奈米級）DRAM，搭配三星晶圓代工的 4 奈米邏輯底層晶片（logic die），這與已量產的 HBM4 是同一套製程組合
三星在樣品出貨時曾表示，將配合客戶時程量產供應 HBM4E。這些規格皆為三星先前發布的資訊，並非本次驗證結果的新揭露。
（三星第三季獲利再創新高，記憶體需求帶動營業利益年增 8 倍）
HBM4 明年漲價、三星市佔回升，但 SK 海力士仍居龍頭
驗證消息之所以受到關注，與 HBM 價格與市佔的變化有關。鏈新聞日前報導，三星對 2027 年 HBM4 開出每 Gb 4 美元中後段的價格，是目前主力 HBM3E 約 1.5 美元的 3 倍以上。美光也在法說會上表示，2027 年 HBM 供給大多已被客戶簽下，價格遠高於 2026 年。市調機構 TrendForce 則預估，2027 年 HBM 平均售價將年增約 121%，並預期 HBM4E 在明年下半年起放量。
市佔方面，Counterpoint Research 資料顯示，三星以營收計的全球 HBM 市佔率，從第一季的 21% 升至第二季的 33%。同期 SK 海力士從 58% 降至 50%，美光從 21% 降至 18%。SK 海力士仍穩居第一，三星則追趕明顯。
業界關注三星能否把 HBM4E 驗證轉為實際訂單、HBM4E 的實際量產時程，以及 SK 海力士與美光在同一世代的驗證進度。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
