英特爾 EMIB-T 封裝良率近九成、成本僅 CoWoS 一半，台積電壓力浮現？
英特爾（Intel）EMIB-T 先進封裝技術的商業化進度加速。根據最新產業消息，EMIB-T 的封裝良率已接近 90%，封裝成本更僅有台積電（TSMC）CoWoS 方案的一半，目前瓶頸在於基板良率，預計 2027 年正式量產，或將挑戰台積電在先進封裝市場多年來難以撼動的主導地位。
（台積電攜景碩 (3189) 秘研「類 EMIB」封裝，英特爾奪蘋果谷歌大單成主因）
EMIB-T v.s. CoWoS：埋入式矽橋取代昂貴矽中介層
英特爾的 EMIB 技術，是以微型矽橋（silicon bridge）直接埋入有機基板內部的方式，取代台積電 CoWoS 所依賴的大面積矽中介層，讓多顆矽晶片在單一封裝內高密度互連。
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EMIB-T 則是 EMIB 的進化版本，最關鍵的升級在於：在埋入的矽橋中加入了矽穿孔（TSV）。這些垂直導通孔讓電源與高速訊號得以從封裝底部穿過矽橋，直接輸送至上方疊放的處理器或記憶體，實現真正的三維堆疊（3D stacking）能力。
這套架構最直接的市場意義，在於大幅削減封裝成本。Digitimes 日前報導，由於省去了 CoWoS 方案所必要的昂貴矽中介層，EMIB-T 的整體封裝報價比 CoWoS 便宜約 40 至 50%。對於正在開發 ASIC 或 CPU-based AI 晶片的成本敏感型客戶而言，這個價差相當具有吸引力。
（梳理「光進銅退」敘事：英特爾 EMIB 在 AI 光學互連技術上跑贏台積電了嗎？）
封裝良率逼近九成，基板良率成唯一卡關點
報導指出，EMIB-T 商業化進程迅速：封裝端已高度成熟，基板端則仍在爬坡。在封裝良率方面，EMIB-T 已接近 90%，達到大規模商業量產所要求的基本水準，預計 2027 年起正式量產，挑戰台積電 CoWoS 市場份額。
然而，基板良率目前仍卡在 50%，是唯一仍待解決的技術瓶頸。EMIB-T 基板的製造工序極為精密，整體結構主要由三個層次組成：
- 有機基板本體：負責容納矽橋，需精密鑽孔。由 Ibiden 主導、Shinko、欣興電子及 AT&S 協力供應
- 介電增層：疊壓於矽橋上方，採用業界標準的味之素增層薄膜 ABF
- 矽橋本體：內含 TSV，負責垂直電源與訊號路由。
（台積電攜群創、Ibiden 衝刺 CoPoS！「玻璃基板」成面板級封裝 PLP 關鍵材料）
俄亥俄州晶圓廠加班趕工，英特爾備戰 2031 年 14A 量產
英特爾在封裝技術加速突破的同時，其俄亥俄州超大型晶圓廠的建設也持續推進。這座佔地超過 1,000 英畝的晶圓廠群，是英特爾「Angstrom 世代」製程節點，也就是 18A 及 14A 的關鍵量產基地。
Wccftech 透露，為加快工程進度，英特爾目前已開始向現場工人支付加班獎金，目標是在 2031 年達成 14A 製程的大規模量產。
台積電 CoWoS 供給吃緊，EMIB-T 機會浮現
隨著台積電 CoWoS 產能長期吃緊，而 EMIB-T 的封裝成本僅有 CoWoS 的一半，逐漸為 EMIB-T 在 AI 晶片封裝市場創造切入機會。根據欣興電子轉述的客戶回饋，促使客戶考慮從 CoWoS 轉向 EMIB-T 的主因，正是更低的成本與更佳的效能，目標客群主要面向 ASIC 廠商。
然而 EMIB-T 的擴張也存在挑戰，包括基板良率待提升、供應片爬坡速度存疑等，都會影響其商業競爭力與市場接受度。
（專訪英特爾陳立武：EMIB-T 有望補位台積電 CoWoS 缺口、CPU 供不應求將持續多年）
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