英特爾棄守俄亥俄州晶圓廠？SK 海力士傳接手、官方否認但合資有望？
SK 海力士（SK Hynix）近日傳出有意收購英特爾（Intel）俄亥俄州晶圓廠，官方隨即發聲明否認。然而在美國政府持續施壓在地投資、英特爾代工部門連年虧損的雙重壓力下，業界分析師認為雙方合作的動機仍強，成立合資公司的模式有望成真。
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韓媒：SK 海力士啟動英特爾俄亥俄廠收購程序
韓國中央日報 22 日報導指出，SK 海力士已決定收購英特爾位於俄亥俄州 New Albany 的半導體廠區與設施，並已啟動相關程序，目標是在五年內於美國本土生產記憶體晶片。一名熟悉 SK 海力士內部事務的匿名人士表示，交易已通過內部審查與政府核准，惟收購價格與時程仍在協商中。
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這座俄亥俄半導體園區是英特爾睽違 40 年再度興建的全新製造基地，佔地約 405 萬平方公尺，規模足以容納 8 座晶圓廠，全面開發預計將耗資高達 1,000 億美元。
然而報導指出，隨著輝達、Apple、AMD 等美國科技大廠的晶圓代工訂單幾乎清一色流向台積電，英特爾代工部門長期難以爭取到主要客戶，財務壓力與日俱增，去年全年虧損 22 億美元，今年第一季再虧 24 億美元，原訂 2025 年投產的 Fab 27 與 Fab 28 已延後至 2030 至 2031 年。
在此背景下，出售俄亥俄廠將讓英特爾得以回收資金，集中資源強化後段封裝能力與製程良率，為代工業務重整基礎。
SK 海力士隨即否認，但用詞留有餘地
報導刊出幾小時後，SK 海力士財務主管 Kim Woo-hyun 隨即透過聲明澄清：「公司雖持續評估各種投資與收購機會，但並未追求、也並未決定收購英特爾俄亥俄廠址及晶圓廠。」
Citrini 分析師 Jukan 認為這段否認措辭別具意義，否認的部分僅止於「廠址與晶圓廠的收購」，並未排除與英特爾建立其他形式的合作，保留許多解讀空間。
美國政府施壓在地投資，崔泰源喊話正覓廠址
然而，SK 海力士在美擴產的壓力是真實存在的。美國商務部長 Howard Lutnick 本月稍早在美光紐約廠活動上公開點名，要求三星與 SK 海力士在美國建立製造設施；業界解讀這不只針對封裝廠，也包括 DRAM 前段製程的在地生產。
首爾大學世宗大學商學院教授 Kim Dae-jong 對此指出，美國正尋求在境內建立涵蓋設計、晶圓代工、記憶體與封裝的完整 AI 半導體供應鏈。
SK 集團會長崔泰源日前在大韓商工會議所夏季論壇上也公開表示，記憶體晶片價格目前誇張地高，需要增加供給以壓低價格，並透露「正在美國積極尋找廠址，需要快速建廠」。
據悉，SK 海力士目前已在印第安納州投入約 38.7 億美元興建 HBM 先進封裝廠，預計 2028 年啟用。
分析師推測：「合資、入股、封裝技術整合」三線選項
對此，半導體分析師 Bubble Boi 提出更多潛在的合作方式：
- SK 海力士正測試以英特爾的 EMIB 封裝技術整合其 HBM，並結合其 Foveros 3D 堆疊技術，在先進封裝 IP 層面進行技術協作
- SK 海力士可能入股英特爾
- 雙方成立合資企業，共用俄亥俄廠產能並共同開發製程 IP
在合資企業這個選項，Jukan 認為雙方都存在戰略動機，包括對抗馬斯克 TerraFab 的競爭壓力、快速在美國建立前段製程產能，以及追求其他深入綁定的戰略目標等。
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合作戰略動機浮現，人事流動成伏筆？
當然，以現有資訊來看，SK 海力士收購英特爾晶圓廠的消息已被確認並非事實。不過，促成雙方合作的多重動機並未消失：英特爾不僅代工業務面臨財務壓力，也需要外部客戶填滿俄亥俄廠產能；SK 海力士則面臨來自川普政府的政治壓力，同時有望藉由 EMIB 技術強化其 HBM 產品競爭力。
值得一提的是，英特爾近期延攬前 SK Hynix 執行長 Seok Hee Lee 出任代工部門執行副總裁，人事佈局也為兩家公司後續的合作，留下了耐人尋味的伏筆。
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