三星 DRAM、NAND 報價雙漲超過 30%！蘋果點頭、Android 壓力大了
中媒界面新聞 9 月 15 日獨家報導，蘋果（Apple）已接受三星電子（Samsung Electronics）2027 年第一季的手機記憶體報價：DRAM 逼近每 Gb $2.0 美元，NAND 快閃記憶體逼近每 Gb $0.33 美元。對比今年第三季報價，漲幅高達 30% 至 40%，遠超上週韓媒披露 7% 至 10% 的預期。同時，蘋果的接受，也可以說是壓垮了 Android 廠商的談判空間。
三星記憶體坐地喊價！DRAM、NAND 漲幅遠超預期
幾天前，韓媒曾報導三星計畫重啟報價協商，對手機 DRAM 及 NAND 追加 7% 至 10% 的漲幅。然而，界面新聞這次披露的數字顯示，最終蘋果所接受的報價漲幅達 30% 至 40%，遠高於市場預期。
對照今年第三季的基準，三星 LPDDR4X 報價約為每 Gb $1.4 美元（季增 3%）、LPDDR5X 約為每 Gb $1.5 美元（季增 5%）、NAND 約為每 Gb $0.26 美元（季增 8%）。
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供應鏈人士向界面新聞透露，第三季實際成交價雖略高於報價 1% 至 2%，但遠低於市場預期的漲幅；相比之下，同期伺服器 DRAM 漲幅超過 20%，消費端與伺服器端的價差持續拉大。
HBM 與伺服器吸走產能，消費端缺口持續擴大
TrendForce 資料顯示，延續過去一年的供給緊縮格局，三星、SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron）三大廠的 DRAM 與 HBM 產能已幾乎全數鎖定；NAND 方面，各廠實際配置給客戶的配額僅為其需求量的 60% 至 70%，且大型雲端服務商與 AI 實驗室已透過長期合約優先搶佔大部分供給。
同時，三大廠更進一步持續削減消費級 NAND 晶圓產量，騰出產能轉向利潤更高的 HBM 與伺服器產品。根據 Omdia 數據，三星 2026 年 NAND 晶圓計畫產量將從 2025 年的 490 萬片降至 468 萬片；SK 海力士從約 190 萬片降至 170 萬片；鎧俠（Kioxia）從 480 萬片降至 469 萬片。
供給主動萎縮疊加需求端的快速成長，從根本上奠定了賣方主導的市場結構。
中國手機廠商抵制無效，部分轉向二手材料自保
手機端需求面並不樂觀，卻也難以撼動供給側的強勢態勢。消息人士表示，今年手機市場需求幾近明朗，第四季恐難出現明顯增量。此前，OPPO 及 vivo 均已拒絕接受三星的第三季報價，部分廠商選擇觀望或延遲採購，然而這種抵制並未改變供應商的報價立場。
在此背景下，部分手機廠商已開始評估以二手記憶體元件對沖成本壓力。業內人士對此直言：「連蘋果都接受了這個價格，國內廠商更沒有立場進行談判。」
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iPhone 18 Pro 記憶體成本佔 BOM 高達 34%！終端售價跟漲
記憶體報價飆漲，已直接反映於蘋果的產品成本結構。根據 TrendForce 估算，iPhone 18 Pro 256GB 版本的記憶體成本較去年同期攀升近四倍，儲存元件在整機物料成本（BOM）中的佔比從一年前的約 10% 升至 34%。
9 月 9 日秋季新品發表後，iPhone 18 Pro 在中國大陸起售價較前代上漲 1,000 元人民幣至 9,999 元；舊款在售機型 iPhone Air 與 iPhone 17 也同步調漲，最高漲幅達 2,300 元，蘋果官方對此將原因歸咎於「記憶體晶片的漲價」。
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記憶體供需缺口擴至近 30 年水準，恐延伸至 2028 年
瑞銀（UBS）預測，2027 年記憶體需求年增率將達 36.2%，但供給成長率僅 19.3%；在排除庫存補充效應後，實際供需缺口將從 2026 年的 -8.1% 進一步擴大至 2027 年的 -13.6%，為近 30 年來首見的緊缺程度，且供需緊張態勢預計延伸至 2028 年上半年。
業界普遍預期，消費端與伺服器端記憶體的價差，將隨著 OEM 廠商持續縮減消費級訂單，在明年第一季逐漸收窄。然而，在 HBM 與 AI 伺服器持續吸走高階產能的宏觀背景下，消費級記憶體的稀缺性只會繼續升高。
風險提示
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