Terafab預計明年接收ASML首台EUV極紫外線光刻印機台
馬斯克旗下的人工智慧晶片基礎設施 Terafab，預計明年中將接收 ASML（艾斯摩爾）首台極紫外線（EUV）光刻印機台。根據相關媒體分析報導，由於研發設施主體建築預計要到 2027 年底才能竣工，後續仍需數個月進行工具安裝與搬遷，這台高階掃描儀可能面臨短暫閒置的狀況，即便如此，Terafab 早期取得關鍵設備仍有助於保障後續晶片研發可順利推進。
Terafab 規劃引進英特爾 14A 製程
特斯拉於 4 月在德州 Giga Texas 北園區為研發廠房舉行破土儀式，市場分析預估該建築需時 15 個月竣工，需要約 6 個月時間完成設備安裝與調校，隨後方能展開晶圓試產，在設備選擇上，Terafab 第一代產品將採用傳統 Low-NA（低數值孔徑）EUV 微影系統，暫不採用 FEL（自由電子雷射) 光源技術。由於 Terafab 規劃引進英特爾 14A 製程技術，使用標準化微影工具能大幅降低設備驗證與光罩調整的複雜度，加速整體量產時程。
量產時程超前部署
SpaceX（太空探索技術公司）選定德州 Grimes County（格萊姆斯郡）作為 Terafab 第一期量產廠址，於今年第三季展開基礎結構施工，根據研發機構評估，量產廠預計將從 2029 年底開始運作、於 2030 年中實現全規模量產。
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值得注意的是 SpaceX 早在去年 4 月即已著手下訂半導體製造設備，早於官方公開宣佈選址的時間點，有鑑於先進半導體設備交付期較長，此種提前佈局的策略確保了明年中能順利開展設備安裝作業。
(馬斯克宣佈Terafab落地德州：結合SpaceX、特斯拉 xAI 加速晶片製程)
晶片製程競爭激烈
英特爾預計於明年下半年對 14A （1.4 奈米級）製程進行風險量產階段，時程比 Terafab 格萊姆斯廠提早約 1.5 年，台積電亦計劃於 2029 年底推出採用第二代奈米片電晶體與背面供電設計的 A12 (1.2 奈米) 製程。
雖然 Terafab 投入量產時的技術並非市場最新節點，但因其主要服務對象為 SpaceX、Tesla 及 xAI 等集團內部企業，採用成熟的先進製程有助於確保良好良率，同時透過自建產線抵消外部代工所帶來的高昂成本。
本文重點摘要筆記
- 設備提前到位：Terafab 預計於明年中接收艾斯摩爾的 EUV極紫外線光刻印機台，雖因廠房建設進度可能短暫閒置，但有助於確保後續調校時程。
- 採用成熟微影技術：首代產品選擇傳統 EUV 設備而非 FEL 光源，主要係配合引進的英特爾 14A 製程，藉此降低設備驗證難度並加速試產。
- 預期量產時間點：德州格萊姆斯郡的量產廠房於 2026 年破土，預計 2029 年底啟動營運、2030 年年中實現大規模量產。
- 提前採購供應鏈策略：SpaceX 在公開選址前即完成設備下訂，大幅縮短了先進半導體機台的交貨等待期。
- 專注內部需求效益：儘管量產時程落後英特爾與台積電的最先進製程，但 Terafab 以滿足集團內部需求為主，能夠有效平衡生產成本與良率效益。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
