長鑫 DRAM 突破重創全球記憶體股！馬斯克也緊張：中國擴產速度太快
全球記憶體股 10 月 13 日出現賣壓，起因是中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）宣布新一代 4F² DRAM 架構取得進展，並計畫在 2026 年底前以此技術推出 DDR5 伺服器記憶體。特斯拉執行長馬斯克隨後在 X 上坦言，中國一旦搞懂如何製造某項產品，擴產能力遠超外界想像，並以鋰電池與太陽能為例，讓市場對中國記憶體廠擴產的擔憂更添一層。
美、韓、日、台記憶體族群同步下挫
台灣時間今日清晨，美股方面，美光（MU）收盤下跌 3.88%，閃迪（SNDK）下跌 5.97%。亞洲市場跌幅更深，截至台灣時間 13 日中午 12:00，南韓三星電子下跌 7.58%，SK 海力士下跌 8.66%，日本鎧俠（Kioxia）重挫 12.54%，跌幅最深。
台股同樣受到波及，DRAM 廠南亞科（2408）下跌 7.02%，華邦電（2344）下跌 7.47%，NAND 控制晶片廠群聯（8299）下跌 4.38%，記憶體模組廠創見（2451）、十銓（4967）、威剛（3260）分別下跌 3.66%、2.78% 與 1.77%。
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長鑫 4F² 架構是什麼？為何牽動 DRAM 廠股價？
4F² 是 DRAM 單一記憶體單元的佈局方式，目的是在相同面積內塞進更多記憶體單元，提升晶片密度與製造效率。業界現行主流 DRAM 多採 6F² 佈局，若 4F² 能順利量產，理論上可降低每位元成本。這也是市場擔心中國廠商能以更低成本搶攻傳統 DRAM 市場的原因。
（中國長鑫存儲擬年底推出 4F² 次世代 DDR5 RDIMM，領先三星兩年）
TrendForce 數據更顯示，長鑫已取得全球約 9.5% 的 DRAM 營收，高於前一季的 7.6%，穩坐全球第四大 DRAM 製造商，並規劃在上海與合肥新增產能，目標月產能超過 60 萬片晶圓，引發市場對長鑫擴張速度的擔憂。
馬斯克談中國擴產力，憂記憶體步上太陽能、鋰電池後塵
馬斯克對此表示：「中國掌握製造方法後，擴產能力常超過世界其他國家總和，鋰電池與太陽能就是最佳案例。」他認為 SpaceX 作為衛星發射領域的領先者是少數反例，但除了 SpaceX 之外，中國也佔據了大多數的入軌質量。
針對記憶體，他的說法留有空間：「也許 RAM 會不一樣」，但 RAM 約三年前還只是低毛利的大宗商品，而 LPDDR5 與 LPDDR6 是依共通標準設計，中國似乎正快速攻克。他同時認為，更新的 HBM 架構、在邏輯晶片下方加入 SRAM 層，以及把記憶體 3D 堆疊在邏輯晶片上方並解決散熱問題，這些會更難被追上。
換句話說，馬斯克的警告重點在於傳統且標準化的記憶體產品，而目前高階 HBM 與先進堆疊或仍不受影響。
（「記憶體哪有缺貨」宏碁董座踢爆大廠喊漲話術：中國滿手貨、價格恐見頂）
市場反應過度？利空僅針對 DRAM 廠
另一方面，Milk Road AI 分析師 Melvin 則發文指出，宣布新架構不等於能順利量產，良率、價格與可靠度都有待驗證；在 AI 基礎建設支出持續增加下，記憶體供給仍然吃緊，即便長鑫產能翻倍也未必造成供過於求。他強調，這次消息主要針對傳統 DDR5，而非 HBM；閃迪則以 NAND 為主，不是 DRAM 廠。
不過，從價格反應來看，賣壓並未區分產品線，純 NAND 的鎧俠跌幅最重，HBM 大廠 SK 海力士也跌逾 8%。外界關注長鑫 4F² DDR5 能否如期在年底前量產、良率與成本是否具競爭力；以及今晚美股開盤能否率先止跌，消化並穩住隔日亞股的走勢表現。
風險提示
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