美光財報將優於預期？分析師：花旗研報太保守、NAND 成 DRAM 瓶頸最大受益者
花旗最新研究報告指出，AI 資本支出熱潮正將晶片供給瓶頸往上游推升，半導體設備（WFE）支出預計連續三年成長，其中 NAND 設備將受惠於 DRAM 供給吃緊。對此，Citrini 分析師 Jukan 認為報告對美光（Micron， MU）本季財報的記憶體平均售價（ASP）假設過於保守，預計本週將公布的美光財報有望出現「優於預期」的表現空間。
花旗：半導體設備支出預計連續增長三年，AI 需求推升設備瓶頸
花旗研究指出，全球晶圓設備支出將從 2025 年約 1，100 億美元，在基本情境下成長至 2026 年至 2028 年的 1，390 億、1，760 億及 2，140 億美元；若以樂觀情境計算，三年支出更可能達到 1，470 億、1，960 億及 2，540 億美元，年增幅度約為 33%、33% 及 30%。即便在保守情境下，設備支出仍維持兩位數成長。
花旗將這波成長動能歸因於超大規模雲端業者（hyperscaler）資本支出的大舉擴張，預估 2026 至 2028 年資本支出年增率分別達 84%、56% 及 38%，加上台積電（2330）、記憶體大廠持續擴產，以及英特爾（Intel）與三星晶圓代工事業動能回溫。
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報告強調，隨著雲端業者持續加碼建設 AI 資料中心，原本的晶片供給瓶頸正逐步往上游的設備需求端傳導，使 AI 需求從「演算力問題」演變為「硬體供給問題」。
DRAM 瓶頸催生 NAND 設備需求，花旗看好三大廠受惠
其中，花旗指出 DRAM 的供給緊張可能反而帶動 NAND 設備的需求成長。隨著代理式 AI（agentic AI）應用對鍵值快取（KV cache）容量需求大增，單靠高頻寬記憶體（HBM）與傳統 DRAM 恐成本過高、供給也跟不上，因此部分運算負載將轉向以企業級固態硬碟（SSD）作為「主動記憶體層」，而非僅作被動儲存使用。
花旗估算，要解決這項瓶頸可能需要新建 2 至 4 座 NAND 晶圓廠，對應約 150 億至 300 億美元的 NAND 設備支出規模。基於這個出發點及對 2028 年的獲利能力評估，花旗上調三大美系設備廠目標價：
- 應用材料（Applied Materials， AMAT）上調至 710 美元
- 科林研發（Lam Research， LRCX）上調至 450 美元
- 科磊（KLA Corp， KLAC）上調至 290 美元
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分析師質疑：花旗對美光 ASP 假設太保守
對此，Citrini 分析師 Jukan 在社群平台發文，認為花旗針對美光財報預覽報告中所採用的 ASP（平均售價）成長假設過於保守：「若市場共識普遍落在花旗預估的水準附近，美光本季財報便有機會交出優於預期的成績單。」
根據花旗報告附圖，2026 年 DRAM 季對季 ASP 成長預估在第一、二季分別為 64% 與 37%，第三、四季則放緩至 13% 與 11%；NAND 方面同期預估則為 63%、45%、17% 及 6%。Jukan 認為第三季的兩項數字明顯偏低，與目前市場觀察到的價格動能不符。
三大理由支撐「超預期」論點
針對 Jukan 提出的質疑，後續討論進一步歸納出三項支撐理由。
- AI 伺服器對高階記憶體的需求遠超市場預期，HBM 供給持續緊俏、部分產能已銷售至 2026 年底，產品組合轉向高毛利項目，可望帶動整體 ASP 漲幅優於一般 DRAM 與 NAND。
- 近期韓國出口數據與現貨市場價格顯示，記憶體價格上漲力道較花旗模型假設更為強勁，顯示供給端擴產速度仍追不上需求成長。
- 美光在上一季（2026 財年第二季）財報已創下單季營收新高，並對本季營收給出約 335 億美元、毛利率約 81% 的指引，若實際 ASP 漲幅高於花旗假設，財報數字超越市場共識的機率將進一步提高。
不過，記憶體類股股價波動性偏高，美光財報實際表現除了 ASP 與營收數字外，市場也將聚焦於財報指引、HBM 進度與整體 AI 資本支出趨勢能否延續。
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