馬斯克預言中國 2028 年大量生產 RAM！韓媒示警：記憶體熱潮恐在 2029 年反轉
AI 資料中心需求帶動全球記憶體市場迎來史上罕見的成長週期，但韓國媒體開始擔憂，當前的缺貨潮可能在未來幾年轉變為產能過剩。每日經濟新聞專欄指出，隨著三星電子、SK 海力士及中國記憶體製造商持續擴產，全球記憶體供需可能在 2029 年出現反轉，韓國經濟也可能面臨過度依賴半導體產業的風險。
特斯拉執行長馬斯克（Elon Musk）近日則在 X 轉發相關討論，直言：「中國將在 2028 年生產大量 RAM。」 再次將中國記憶體產能擴張帶來的長期競爭壓力推向市場焦點。
馬斯克預警中國記憶體擴產，韓媒擔憂 2029 年供過於求
馬斯克近日轉發研究帳號 P Equity Research 的貼文，後者引述韓國財經媒體《每日經濟新聞》的評論，指出韓國記憶體產業雖正受惠於 AI 熱潮，但這波繁榮可能無法永久持續。
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該評論認為，韓國經濟越來越依賴三星電子與 SK 海力士，當全球記憶體大廠的新產能陸續投入市場，2029 年可能再次迎來供過於求的景氣循環。對此，馬斯克補充表示，中國將在 2028 年生產大量 RAM，暗示中國記憶體廠商的擴產速度，可能成為未來全球供需關係的重要變數。
預估 2026 年記憶體市場達 8,370 億美元，占半導體產值 54%
這波記憶體產業榮景的規模，已遠遠超出過去的景氣循環。根據研究機構 Gartner 於今年 8 月公布的預測，2026 年全球半導體營收將達約 1.56 兆美元，其中記憶體營收預估達到 8,373 億美元，占整體半導體市場約 54%，相較 2025 年的 2,201 億美元顯著成長。
Gartner 更預估，2027 年全球記憶體營收將突破 1 兆美元，主要受惠於 AI 資料中心持續擴建，以及 DRAM、NAND Flash 價格上漲。不過，龐大營收成長不全然代表記憶體實際出貨量以相同幅度增加，其中也包含供應吃緊推升售價的影響。即使 2027 年新增產能陸續進入市場，AI 基礎設施的需求仍將支撐記憶體供需維持緊張。
中國長鑫存儲加速追趕，2028 年將成記憶體市場轉折點？
馬斯克對中國記憶體產業的關注並非毫無依據。中國 DRAM 製造商長鑫存儲（CXMT）近年持續推進製程技術與產能擴張，試圖縮小與三星、SK 海力士及美光之間的差距。根據路透社報導，長鑫存儲今年 9 月宣布第五代記憶體平台已進入量產，並推出採用新平台的 24Gb LPDDR5X 晶片。該平台透過多重圖案化技術縮小記憶體單元尺寸，提高每片晶圓可生產的晶粒數量。
此外，長鑫存儲近期還公布採用 4F² 架構的 DRAM 技術，計畫於今年底推出伺服器用 DDR5 RDIMM。這項技術透過垂直電晶體設計，降低記憶體單元占用面積，理論上可提高晶片儲存密度，但量產良率、實際效能及成本競爭力仍有待驗證。
產能方面，根據市場研究機構 SemiAnalysis 的估計，長鑫存儲占全球 DRAM 產量的比重，可能從 2025 年約 11% 提升至 2028 年底的 17%。然而，該機構同時指出，市場對中國擴產迅速扭轉全球供需的擔憂可能被誇大，即使長鑫增加產出，全球 DRAM 市場仍可能持續缺貨至 2028 年。
HBM 與傳統 DRAM 市場分化，韓國仍保有技術優勢
目前三星、SK 海力士與美光仍在先進 HBM 市場占有重要地位，而長鑫存儲雖正推進 HBM 技術，距離在最先進產品上全面挑戰韓美大廠仍存在技術與量產障礙。這也可能使未來記憶體市場出現分化：傳統 DRAM 隨著中國產能擴大，面臨更激烈的價格競爭；高階 HBM 則可能繼續受惠於 AI 運算需求，維持相對較高的技術門檻與獲利能力。
韓國半導體專家 Kim Hyung-joon 近期甚至提出不同觀點，認為韓國記憶體大廠擴產未必全然是壞事。當三星與 SK 海力士擁有足夠產能，便可以重新擴大傳統 DRAM 供給，爭取原本因缺貨而轉向中國廠商的客戶，反而有機會透過規模優勢遏制長鑫存儲的市占率成長。
（延伸閱讀：韓系記憶體雙雄大擴產！專家曝「產能過剩」其實是好事？）
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