韓系記憶體雙雄大擴產！專家曝「產能過剩」其實是好事？

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6 分鐘前

三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK hynix）與美光（Micron）相繼興建新晶圓廠，以因應 AI 帶動的記憶體嚴重缺貨，但市場也開始擔心，這波擴產最終將引發新一輪供過於求。不過，南韓半導體專家 Kim Hyung-joon 提出不同看法：擴產讓龍頭廠商更能因應需求變化，也可能協助韓廠奪回被中國對手搶走的市佔。根據《韓國先驅報》10 月 15 日刊出的專訪，Kim 認為這場產能競賽未必只有風險，還藏著反攻中國的機會。

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缺貨幅度遠超歷史，傳統記憶體景氣週期已改變

次世代智慧半導體基金會負責人 Kim Hyung-joon 估計，目前記憶體市場的供給缺口高達 30% 至 40%。相較之下，過去只要供需出現約 2% 的失衡，就足以引發價格劇烈震盪。鑑於這一輪缺貨規模前所未見，傳統的記憶體景氣循環已出現根本性改變。

他同時指出，中國在傳統 DRAM 的版圖擴大，部分原因正是韓廠把產能優先投向高毛利的 AI 記憶體，導致低價記憶體出現缺口，讓中國業者有機可乘。

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三大廠擴產規模驚人，龍仁園區將落地 10 座新廠

依 Kim 的估算，三星 DRAM 月產能約 72 萬片晶圓，SK 海力士約 55 萬片，美光約 30 萬至 40 萬片，三大廠合計約 157 萬至 167 萬片。

擴產計畫上，SK 海力士計畫在首爾南方的龍仁半導體園區興建 4 座晶圓廠，Kim 推估第一座月產能最終可達約 35 萬片，超過該公司目前產能的六成。三星則在另一處龍仁園區規劃 6 座，使當地規劃總數達 10 座，其中三星新廠也將包含邏輯晶片生產。三星另有平澤園區擴建，美光則投資愛達荷州與紐約的新廠。

若 10 座新廠都比照 SK 海力士第一座的規模，合計月產能將達 350 萬片，是三大廠現有 DRAM 總產能的兩倍以上。Kim 表示，一旦 AI 需求跟不上，市場就會面臨供過於求與價格下跌。

新廠投產分階段，AI 需求不會放慢

儘管擴產規模龐大，Kim 認為記憶體廠有能力避免突如其來的供給衝擊。新廠從興建、裝機到通過量產驗證需要多年時間，投產後還要經歷良率爬坡，無塵室與產線也能分階段啟用。他說，各公司雖已公布計畫，但會一邊看市場一邊調整每個階段的完工時間。

需求端同樣存在變數。AI 開發商正努力讓模型更節省記憶體，但 Kim 預期資料中心的快速擴張，將抵銷甚至超過這部分節省的用量。他也認為，AI 巨頭不可能主動放慢投資，因為這是一場贏者全拿的競賽。相較於晶片供給，他認為電力供應可能是更大的 AI 擴張瓶頸。

當產能成為武器：奪回 DRAM 市佔，圍堵中國長鑫

Kim 估計，中國長鑫存儲（CXMT）已取得全球約 10% 的 DRAM 市佔，而長鑫自稱約六成產出用於出口。由於缺貨過於嚴重，PC 與智慧型手機廠商已開始採用長鑫的記憶體，Kim 認為這才是真正的威脅。

不過，當三星、SK hynix 與美光的供給增加，就有餘裕把產能重新分配給傳統 DRAM，爭取回流客戶，並限制長鑫的成長空間。在這種情境下，新增供給就不只是獲利的威脅，也可能成為競爭武器。

（長鑫 DRAM 突破重創全球記憶體股！馬斯克也緊張：中國擴產速度太快）

韓廠兩大變數：地緣政治與封裝弱點

Kim 也提醒，AI 熱潮在帶來商機的同時，也加劇了技術、投資與製造地點的競爭。他以 DRAM 的 1b、1c 與即將到來的 1d 製程，以及單顆晶粒與完整 HBM 堆疊的良率，作為衡量競爭力的指標。三星先前因 1b 製程遇到困難，讓 SK 海力士在 HBM 取得先機，但三星近期已出貨採用 1c 製程的 HBM4，顯示良率達到商業可行水準，正在追趕。SK hynix 的 HBM4 採用 1b 製程，下一代 HBM4E 則計畫導入 1c。

地緣政治上，美國推動半導體本土製造，可能加大韓廠在美國投資記憶體產能的壓力，Kim 認為關鍵在於「各座晶圓廠興建的先後順序」。至於在中國的既有據點，三星在西安生產 NAND Flash，SK 海力士則在大連生產 NAND、在無錫設有 DRAM 產線。Kim 警告，若美國持續限制 EUV 設備，並可能追加管制，韓廠恐被迫縮減甚至關閉部分中國廠。

即便 NAND 不依賴 EUV，受影響較小，但先進 DRAM 需要日益複雜的 EUV 製程，SK 海力士的無錫廠尤其脆弱。他估計 SK hynix 每月在韓國利川加工約 30 萬片 DRAM 晶圓，無錫約 25 萬片，並強調晶圓不可能在中韓之間來回運送五次，管制若持續，無錫終將縮減規模。