鎧俠、SanDisk 啟動量產第 10 代 3D NAND 記憶體，成財測未達預期主因
韓媒 Zdnet 報導，全球 NAND 市場第三大廠鎧俠（Kioxia）已於 7 月初於日本北上工廠正式啟動第十代 3D NAND「BiCS10」量產，並以此為基礎推出支援 PCIe 6.0 的最新規格資料中心 SSD。然而，新世代製程切換初期不可避免的高昂良率爬坡成本，正逐漸反映在股價上。市場分析師認為，這可能正是鎧俠與合作夥伴 SanDisk（SNDK）本季財測未達市場預期的主要原因之一。
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鎧俠北上工廠啟動 BiCS10 量產，332 層堆疊進入商用階段
報導指出，鎧俠已於 7 月初在岩手縣北上工廠（K2 Fab）正式啟動第十代 3D NAND BiCS10 的量產作業。BiCS10 採 332 層垂直堆疊設計，象徵公司正式跨入 300 層以上高堆疊 NAND 的商用量產行列。由於各廠世代定義與堆疊層數不盡相同、難以比較，但該里程碑仍具有重要競爭意義。
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TrendForce 數據顯示，鎧俠 2026 年第一季全球 NAND 市佔率為 13.9%，位居三星電子（31.6%）與 SK 海力士（17.6%）之後，排名第三。儘管營收規模與韓廠相比仍有落差，但業界普遍肯定鎧俠在技術開發速度上的積極態勢，在 AI 需求帶動下的高效能 NAND 領域表現尤為突出。
PCIe 6.0 eSSD 與 UFS 5.0 雙箭齊發，全面佈局 AI 儲存市場
以 BiCS10 為底層技術，鎧俠已將其商品化能量延伸至兩大 AI 應用場景。在資料中心端，鎧俠推出支援 PCIe 6.0 介面的企業級 eSSD「CM10」，相較前代產品，循序讀取效能最高提升 92%、隨機讀取效能提升約 85%。PCIe 6.0 SSD 為今年剛進入量產的最新介面標準，CM10 是目前少數商用化的對應產品之一。
在裝置端 AI（On-device AI）市場，鎧俠計畫於今年底啟動 UFS 5.0 內嵌式記憶體量產。UFS 5.0 是今年起進入商用的最新行動裝置儲存規格，資料處理速度較前代 UFS 4.1 提升約 2 倍。鎧俠的 UFS 5.0 產品搭載自研控制器與第八代 NAND，主攻搭載 AI 功能的高階智慧型手機市場。
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世代切換代價：良率爬坡成本壓縮短期獲利
然而，BiCS10 的量產、新世代製程的切換也正對公司財務面造成衝擊。Citrini 分析師 Jukan 對此指出，BiCS10 量產或許是鎧俠及 SanDisk 近期財測落後市場預期的原因之一。
據悉，任何晶片廠在切換至新製程世代的初期，產線均需經歷良率爬坡（yield ramp）階段，此時單位生產成本較高，而出貨量仍未達到規模效益，直接壓縮毛利率。鎧俠與 SanDisk 長期透過合資廠（Flash Forward JV）共用產能，意味著兩公司的製程切換成本會影響彼此的財務表現。
換言之，BiCS10 的世代升級速度愈快，短期財報所承受的陣痛也愈明顯。
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三星以 V10 NAND 回防：430 層首度導入 Hybrid Bonding
面對鎧俠的技術攻勢，市場龍頭三星電子也加速反制，選擇同時在 8 月啟動第十代 V-NAND（V10）量產。V10 首度導入混合鍵合（Hybrid Bonding）技術與三次堆疊（3-stack）架構，預估堆疊層數高達 430 層，在連接密度與訊號效率上較傳統封裝具備明顯優勢。
不過業界人士透露，三星 V10 目前僅完成內部產品量產核准（PRA），大規模設備投資尚未啟動，短期出貨量有限。
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AI 驅動的 NAND 世代戰爭開打，財務陣痛期成必要代價
如今，2026 年下半年 NAND 市場正式進入 PCIe 6.0 與 UFS 5.0 的新規格量產週期，鎧俠、三星等主要廠商均選擇在 AI 需求加速擴張的窗口期加速世代升級。
然而，技術領先與短期財務表現之間的張力難以迴避。BiCS10 帶給鎧俠和 SanDisk 的良率爬坡壓力，正是這輪世代競賽中先行者必須承擔的成本。隨著各家產品線陸續進入規模量產，NAND 市場的競爭格局與獲利能力將在 2027 年上半年前後迎來重要的重新定位。
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