中國進軍「後 HBM 世代」！長鑫秘研鍵合 DRAM、長江 NAND 專利超車三星

Crumax

50 分鐘前

繞過EUV出口管制、以DUV多重曝光自闢技術路線，

韓國經濟新聞報導，中國記憶體雙雄長鑫存儲（CXMT）及長江存儲（YMTC）與三星電子、SK 海力士之間的技術差距已從約五年縮短至；前者更秘密啟動次世代鍵合 DRAM（Bonded DRAM）試產線，目標在南韓競爭對手之前率先商業化。南韓學界直言：由美國制裁所撐起的競爭優勢窗口，正在迅速關閉。

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DRAM 市佔一年暴衝三倍，長鑫存儲擠進蘋果供應商候選名單

根據 Counterpoint Research 以 2026 年第一季為基準的統計，長鑫存儲在全球 DRAM 市場的市佔率已從 2025 年的 3% 急升至 8%，一年之內幾乎翻了三倍。相較之下，SK 海力士的市佔率在同期間從 36% 顯著下滑至 29%；三星電子小幅回升至 38%，美光則從 25% 降至 22%。

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就在上週，蘋果公司也傳出正遊說白宮，尋求批准向中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）採購 DRAM 晶片，有望首次叩關全球最大規模的消費電子供應鏈。

（美光是下一個輝達嗎？從「蘋果求進口中國記憶體」看 DRAM 供應缺口有多大）

然而兩年前，中國記憶體廠商仍普遍被認為只能生產低階商品、每年都在承擔鉅額虧損；如今評估顯示，整體技術水準與三星、SK 海力士的差距已從約五年縮短至三年，縮減速度超乎預期。

秘密試產線曝光：Bonded DRAM 以 DUV 繞過 EUV 封鎖

報導指出，長鑫存儲更傳出正秘密建立次世代 Bonded DRAM 的研發試產線。所謂 Bonded DRAM 的概念，是將記憶體陣列（Cell Array）與周邊控制電路（Peripheral Circuitry）分別製作於兩片晶圓之上，再透過晶圓直接鍵合技術垂直接合，讓電路得以在三維空間中以更高密度堆疊。

這項架構的戰略意義在於，它提供了一條不依賴 EUV 微影設備的技術路徑，透過深紫外光（DUV）搭配多重曝光（Multi-Patterning）即可達到原本需要 EUV 才能實現的線寬精度。EUV 設備至今仍為荷蘭 ASML 壟斷，並面臨美國嚴格的出口限制。

業界人士指出，長鑫正大力招募頂尖半導體工程師，並以「搶在三星電子與 SK 海力士前率先完成 Bonded DRAM 商業化」為目標。

三星電子雖已啟動代號「B1b」的自有 Bonded DRAM 開發計畫，SK 海力士也正推進類似路，但外界普遍評估長鑫在 Bonded DRAM 的技術成熟度與推進速度上已領先兩家韓廠。

卡位「後 HBM 世代」：20% 產能轉向 HBM、聯手瀾起佈局 CXL

此外，長鑫存儲也將約 20% 的現有產能轉向高頻寬記憶體（HBM）的研發，目標規格鎖定 HBM3 及 HBM3E，同樣採取以 DUV 多重曝光代替 EUV 的技術策略。

（記憶體牛市為何還能再漲五年？三指標看懂 HBM、DRAM、NAND 差在哪？）

長鑫也同步走向更遠的「後 HBM」技術世代，其選定的下一個賭注是 CXL（Compute Express Link）記憶體。CXL 3.0 被業界廣泛視為超越現行 HBM 架構的次世代運算記憶體標準，核心優勢在於透過新一代介面協定大幅降低處理器與記憶體間的資料傳輸延遲、提升記憶體資源配置的靈活性，更適應 AI 大規模推論工作負載的需求。

長鑫已宣布與國內 fabless 設計商瀾起科技（Montage Technology）合作，整合後者的 DDR5 技術，共同推進 CXL 3.0 記憶體產品的開發。

長江存儲 NAND 專利數量超越三星、SK 海力士

如果說 HBM 與 Bonded DRAM 是長鑫存儲的主攻方向，那麼長江存儲（YMTC）則專注於 NAND 快閃記憶體領域的專利佈局。

長江存儲自主研發的 Xtacking 架構，是全球第一個達到商業化量產規模的晶圓對晶圓（W2W）混合鍵合（Hybrid Bonding）NAND 技術，目前最新產品已量產至 270 層規格。根據 2023 年的統計，長江存儲當時持有 119 項混合鍵合核心專利，三星電子為 83 項，SK 海力士則僅有 11 項。

據報，三星甚至還得為了推進其下一代 NAND 的發展，被迫向長江存儲購買專利授權。