SK 海力士放緩 HBM4 擴產,轉攻一般型 DRAM 缺口鞏固利潤

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SK 海力士放緩 HBM4 擴產,轉攻一般型 DRAM 缺口鞏固利潤

記憶體三巨頭之一的 SK 海力士(SK Hynix),在 HBM 市場已取得逾四成營收佔比、地位穩固的情況下,放緩第六代高頻寬記憶體(HBM4)的量產節奏,轉而將產能投入目前供應吃緊、利潤率又反超 HBM 的一般型 DRAM 市場。這項策略轉向不僅牽動 SK 海力士自身的獲利結構,也為競爭對手三星電子(Samsung Electronics)在 HBM 市場創造了追趕空間。

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HBM4 產線轉換延後,轉向高獲利一般型 DRAM 市場

朝鮮日報報導,業界人士 23 日透露,SK 海力士已決定延後部分原本要從第五代 HBM(HBM3E)轉換為 HBM4 的產線排程,目的在於擴大公司應對一般型 DRAM 市場的供應能力,畢竟該市場目前的營業利潤率如今已優於 HBM。

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業界普遍認為,SK 海力士既然已在 HBM 市場建立穩固優勢,自然沒有必要急於搶先轉換至 HBM4,乃至下一代的 HBM4E(第七代 HBM)。

獲利結構翻轉:一般型 DRAM 比 HBM 更賺錢

這項策略轉變的背後,是一般型 DRAM 與 HBM 獲利能力的逆轉。雖然以每 Gb 單價計算,一般型 DRAM 目前仍低於 HBM,但雙方的營業利益率差距,估計已擴大到 15 個百分點以上。大新證券(Daishin Securities)更預測,一般型 DRAM 的營業利益率在今年內理論上有機會衝上 90% 的高峰,顯示這塊市場的吸金能力正快速攀升。

一位熟悉 SK 海力士內部決策的人士指出,公司管理層難以忽視競爭對手三星電子已從一般型 DRAM 賺取龐大利潤的現實;同時,SK 海力士的 HBM4 目前仍處於輝達品質認證的階段,而搭載 HBM4 的輝達次世代晶片「Rubin」生產預測又被下修,種種因素都讓加速轉換 HBM4 的急迫性降低。

外資投行齊看多:記憶體價格循環成關鍵

國際投資銀行的分析也呼應了該趨勢,高盛(Goldman Sachs)認為,SK 海力士只要在 HBM3(第四代)與 HBM3E(第五代)市場維持 50% 以上的領先地位,至少便足以應付到 2026 年。

摩根士丹利(Morgan Stanley)則進一步指出,真正決定 SK 海力士企業價值的關鍵,並非死守 HBM 市佔率,而是整體記憶體市場的價格循環走勢;該行同時基於 2026 年 DRAM 平均售價(ASP)有望上漲 62% 的預測,將 SK 海力士的獲利預估大幅上調 56% 至 63%。

這項判斷也獲得 SK 海力士自身財報數據的支撐。公司在第一季財報中表示,DRAM 平均售價已上漲約 60%,並計畫聚焦於滿足高密度伺服器模組與行動裝置產品的需求。此外,SK 海力士與微軟(Microsoft)簽署的三年期 DDR5 供貨協議,也被市場解讀為鞏固一般型 DRAM 長期營收能見度的關鍵佈局。

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三星伺機而動,SK 海力士 HBM 市佔面臨下修風險

然而,SK 海力士在 HBM4 擴產上的保守步調,也讓競爭對手三星電子有機可乘。根據 Counterpoint Research 的數據,SK 海力士在去年第四季的 HBM 市佔率為 57%,但市場普遍預期該數字將逐漸收縮。

部分觀察人士甚至指出,若三星電子能在今年下半年成功量產 HBM4,SK 海力士的 HBM 市佔率可能進一步下滑至 50% 至 60% 區間,這場記憶體雙雄下半年的戰局,恐怕只會更加激烈。

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