三星 2028 年 DRAM 導入 High-NA，光罩將改 12 吋
ASML 在同一週分別與 Intel 和三星電子發布 High-NA EUV 曝光技術的合作進展。根據 Intel Foundry 與 ASML 的聯合聲明，兩家公司在 SPIE 光罩技術與極紫外微影研討會上表示，High-NA EUV 累計已處理超過一百萬片晶圓；三星則宣布計畫在 2028 年將 High-NA 導入 DRAM 量產。
Intel 累計超過一百萬片晶圓，但未拆分測試與量產比例
這一百萬片是累計數字，涵蓋機台驗證與測試、研發，以及 Intel Core Ultra Series 3 處理器（開發代號 Panther Lake）部分層次的量產。Intel 與 ASML 明確表示這並非一百萬片商用 Panther Lake 晶圓，也沒有公開測試、研發與量產各占多少。
該產品使用 Intel 18A 製程。Intel 表示 High-NA 在對位精度、機台產出速度與稼動率上符合 Intel Foundry 的預期，部分 18A 層次的表現與同類的傳統 EUV 層次相當或更好。不過公司未揭露良率、對位精度、缺陷密度或產出速度的量化數據。
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ASML 總裁暨執行長 Christophe Fouquet 表示，Intel Foundry 是產業導入 High-NA 的關鍵領導者之一，從 2024 年安裝第一台商用 EXE 系統、完成最新一代機台驗證，到出貨第一個以 High-NA 製造的量產邏輯產品。Intel 執行副總裁 Naga Chandrasekaran 則說，打造日益複雜 AI 產品的公司需要的是可以直接投入量產又好用的製造創新。
三星將在 2028 年把 High-NA 用於 DRAM 量產，為業界首例
三星電子與 ASML 在同日發布的公告中宣布擴大策略合作。依照雙方說法，三星計畫在 2028 年把 High-NA EUV 導入未來的 DRAM 量產，這在產業內是第一次有記憶體廠做出這樣的時程承諾。High-NA 的解析度提升可望簡化製程步驟，延長 DRAM 的微縮路線圖。
鏈新聞先前報導，SK 海力士傳出考慮委由 Intel 代工 HBM4E 底層晶片，記憶體廠在先進製程上的代工與設備選擇正在鬆動。
光罩要從沿用數十年的 6 吋改成 12 吋
兩則公告共同指向同一件基礎設施的改變。Intel 表示自己推動大尺寸光罩倡議已有三年，與 ASML 及產業夥伴合作制定標準，支援 6×12 吋光罩的演進，同時讓現有 6 吋光罩仍可使用。三星則宣布加入這項推進次世代 12 吋光罩技術的產業倡議。
光罩尺寸從沿用數十年的 6 吋標準往 12 吋走，帶來的是廠房生產效率提升、製造成本下降，並移除拼接限制。Intel Foundry 與 ASML 在研討會上安排了兩場關於光罩拼接技術的發表。
技術規格上，High-NA 把數值孔徑從 0.33 提高到 0.55，解析度達 8 奈米，成像對比較現有 NXE 系統高出 40%，對應機種為 TWINSCAN EXE:5200B。
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