記憶體股價恐步輝達後塵、走向長期橫盤？大摩認爆發期已過、談選股策略
摩根士丹利最新研究報告指出，HBM 與 DRAM 需求雖仍穩健，但記憶體類股多頭第一階段的爆發動能正接近尾聲。Citrini 分析師 Jukan 則擔憂，三星（Samsung）、SK 海力士（SK hynix）、美光（Micron）恐步上輝達（Nvidia）後塵，出現「基本面強勁、股價卻長期橫盤」的窘境。
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摩根士丹利：三大先行指標同步見頂，記憶體進入「修正期」
摩根士丹利於 7 月 6 日發布亞太科技研究報告《Memory – Changing Tides》，內容明確點明「記憶體多頭的第一階段，動能高峰可能已經到來。」
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報告指出，追蹤記憶體景氣的三項核心先行指標：報價年增率、庫存正常化程度、EPS上修廣度，正同步接近高峰階段。分析師強調，這代表的是「變化速度的頂點」，而非「景氣週期的終點」，兩者是不一樣的。
記憶體類股的歷史規律顯示，即便企業獲利仍在創新高，只要 EPS 的上修幅度開始收斂，股價往往會率先進入整理。自 2022 年 11 月生成式 AI 爆發以來，記憶體類股已經歷三次週期性回檔，摩根士丹利對此將目前情況定義為「多頭格局下的第四次修正機會」。
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「晶片通縮」成新變數，超大規模雲端業者恐影響市場定價
值得一提的是，摩根士丹利在這份報告中引入了「晶片通縮（chipflation）」概念，指出新的潛在風險：
部分超大規模雲端業者（Hyperscaler）疑似算力過剩，並開始將多餘的 GPU 算力轉售或出租給第三方。若此趨勢擴大，將直接壓縮 GPU 與記憶體的市場定價能力，對 HBM、DRAM 的獲利預期構成下行壓力。
報告強調，在當前週期階段，微軟（Microsoft）、亞馬遜（Amazon）、Meta、Alphabet 等超大規模業者的資本支出前景，對記憶體股價格的影響力已超越三星、SK 海力士、美光等記憶體廠商本身的財報數字。分析師預期，第二季財報應受惠於 AI Token 使用量的爆發式增長；但若第三季展望顯示資本支出紀律趨嚴、低成本開源大型語言模型持續滲透市場，或晶片通縮壓縮利潤，市場對記憶體需求可持續性的質疑將隨之升溫。
資金集中埋隱患，分析師憂記憶體股價複製「輝達式橫盤」
記憶體類股的另一個風險，來自資金的高度集中。摩根士丹利報告點出，三星電子、SK 海力士、美光科技目前已是全球最擁擠的投資主題之一，高波動環境將使機構部位的維持成本攀升，資金可能會轉向尋找「落後補漲」標的。
Citrini 分析師 Jukan 對此擔憂，記憶體股恐怕正走上輝達「基本面屢創新高、股價卻長期橫盤」的困境：「一旦財報優於預期，市場的反應是『這是高點了吧？記憶體本來就是週期股，獲利不可持續』；若低於預期，則直接引發『利多出盡、獲利了結』的賣壓。」換言之，任何財報結果都能被解讀為看空依據，顯示市場情緒已轉向保守。
Jukan 進一步指出，如同輝達股票曾被視為融資做空（funding short）的標的，記憶體股的股價邏輯可能從「基本面驅動」轉換為「倉位流動性管理」。基本面無論再強，都難以推動股價繼續突破。
大摩談記憶體選股策略：DRAM＞NAND
儘管短期充滿不確定性，摩根士丹利維持亞太科技產業「吸引人（Attractive）」評級，並在長期展望上保持多頭立場，預估 2027 年 AI 相關企業 EPS 成長率將達 35% 至 40%。
報告強調，圍繞著「硬體部署」紅利期的記憶體爆發性多頭階段已告終，下一階段市場將看重算力利用率、AI 服務貨幣化能力與資本回報效率。在此轉換期間，選股邏輯的精準度將遠比方向判斷更為重要。
分析師更點名：「DRAM 優先於傳統記憶體，傳統記憶體優先於 NAND，最不偏好記憶體模組廠商。HBM 與高階 DRAM 仍是需求最確定的供應鏈受益者，而 NAND 受制於供需修復進度較慢，上行空間相對受限。」
摩根士丹利總結道：「當前回檔是選擇性加碼優質記憶體標的的機會，而非離場理由。」
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風險提示
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