SK 海力士散熱新解方：「iHBM」啟動供應鏈協商、拚 HBM5 導入
AI 加速器的運算量與 HBM 堆疊層數不斷攀升，散熱已成為 HBM 最棘手的技術難題。根據韓媒 ETNews 10 月 21 日報導，SK 海力士近期為了 iHBM 技術升級與量產準備，已接觸韓國國內外的材料、零組件與設備業者，討論實際產品導入與量產計畫。iHBM 的目標是從 HBM5 開始導入，依 SK 海力士的 HBM5 路線圖，預期 2029 年亮相。
SK 海力士啟動 iHBM 供應鏈協商，為量產鋪路
ETNews 引述業界消息指出，SK 海力士正與材料、零組件、設備協力廠洽談，內容涵蓋 iHBM 的實際產品應用與量產規劃。供應鏈人士表示，SK 海力士是為了把 iHBM 導入實際製程並商用化，才探詢設備與材料端的合作，並同步檢視實際量產的可行性，看來已箭在弦上。
iHBM 是 SK 海力士今年 5 月公開的技術。在 HBM 競爭愈趨激烈的情況下，這項協商也被視為 SK 海力士在 AI 記憶體領域守住領先地位的關鍵佈局。
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HBM 為何怕熱？base die 成為最大熱點
熱能掌控是 HBM 最大的技術難題之一。現行 HBM 的最底層是基底晶粒（base die），上方則是堆疊的 DRAM 核心晶粒（core die），兩者直接相貼。base die 內含與 GPU 進行超高速資料傳輸的實體連接區，資料運算量與堆疊層數越高，這裡的發熱就越嚴重。
問題在於，這些熱量必須穿過上方的核心晶粒才能排出，熱控效率因此下降。散熱若失控，輕則電源效率大幅降低，重則造成效能下滑、系統錯誤與壽命縮短，是限制 AI 基礎設施效能的主要障礙之一，這也是各家 HBM 大廠把研發重心放在散熱的原因。
（封裝成記憶體大廠新戰場！三星、SK 海力士如何解決 HBM 散熱難題？）
iHBM 怎麼散熱？ICE 開出新路徑，熱阻估降三成
iHBM 特別的地方在於，該技術是在 base die 的通訊連接區放入整合式冷卻元件 ICE，替熱量另外開出一條排出路徑。ETNews 先前報導，這項設計的重點是在熱量集中的連接區周圍，配置高導熱但電氣絕緣的散熱材料。
SK 海力士表示，該設計能把熱阻降低 30% 以上，讓 HBM 即使在高溫、高負載環境下也能穩定運作，進一步提升 AI 基礎設施的效率。
在製程上，iHBM 採用 SK 海力士已導入的 Advanced MR-MUF（將 HBM 晶片堆疊後一次填補縫隙的製程）為基礎的晶圓級封裝（WLP）。因此預期其材料、零組件與設備的供應鏈架構，會與現有 HBM 相近。SK 海力士也在評估擴大供應鏈，納入能提升 iHBM 效能與生產力的新夥伴。
鎖定 HBM5、2029 年亮相！三星、美光跟上了嗎？
SK 海力士的目標是從 HBM5 開始導入 iHBM，依其 HBM5 路線圖，產品預期 2029 年問世，目前公司正利用台積電的先進封裝技術 CoWoS 驗證 HBM5。業界人士認為，在競爭對手加速技術升級與擴大產能之際，SK 海力士正嘗試以技術差異化，守住下一代市場優勢。
同一個熱點，三星與美光也已點名。三星在 COMPUTEX 2026 指出，D2D PHY 是主要熱源之一，並以 HPB（Heat Path Block）在該區域周圍建立專用散熱路徑，目前於 HBM4E 驗證，規劃在 HBM5 導入。美光則在 Hot Chips 2026 表示，HBM 散熱的本質是功率密度而非總功耗，熱量最集中的位置就在邏輯功能密集的 base die。
（HBM 的前世今生：從各世代 HBM 看頻寬、堆疊與散熱瓶頸，封裝為何是關鍵戰場？）
三大廠切入點各有不同，但都指向 base die 的熱路徑設計，業界對此關注後續技術的具體驗證、導入雨放量時程，以及 iHBM 的供應商名單。
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