記憶體設計主導權轉向輝達與台積電？三星、SK 海力士恐淪下游代工

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1 小時前

AI 晶片龍頭輝達（NVIDIA）與台積電（TSMC）近日推動重塑 HBM（高頻寬記憶體）供應鏈，引發南韓半導體業界警覺。韓媒中央日報 11 月 9 日報導，隨著輝達在 HBM 設計與製程選擇上的話語權日益增強，若南韓業者守不住基底晶粒（Base Die）、混合鍵合（Hybrid Bonding）與散熱等關鍵環節，SK 海力士與三星恐怕只剩供應 DRAM 單元（cell）的「下游承包商」角色。記憶體產業的價值層，正悄悄轉向輝達與台積電。

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傳台積電應輝達要求評估自產 3D DRAM？官方急闢謠

鏈新聞引述外媒報導，台積電近日傳出應輝達要求，正評估生產次世代 3D DRAM，並傳出可能新建晶圓廠，或收購既有廠房改建。消息曝光後，台積電隔天即表示，將持續專注於核心的晶圓代工業務。

由於台積電同時是 SK 海力士 HBM 生產的關鍵合作夥伴，這番表態被解讀為重申「不與客戶競爭」的經營原則。不過，南韓業界分析認為，對照輝達近期的一連串動作，這起事件很難被視為單純的插曲。

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（輝達強推 NVHBM 壓低 HBM 價格？分析師憂記憶體大廠議價權流失）

輝達前進記憶體設計：NVHBM 與 3 奈米 Base Die

今年 8 月，輝達公布了把自家記憶體控制器整合進 Base Die 的客製化記憶體「NVHBM」。Base Die 是位於 HBM 堆疊最底層、負責記憶體控制的晶片。此外，上個月更傳出，輝達要求三星電子、SK 海力士與美光，改以台積電 3 奈米製程生產 Base Die。

（三星妥協了！傳接受輝達要求，NVHBM 晶片採台積電 3 奈米製程）

對輝達而言，自行設計記憶體結構與介面，既能提升效能，也能降低對特定供應商的依賴；對台積電而言，既然必須取得 HBM 才能生產 GPU，提高對記憶體製造的影響力，就能減少 GPU 出貨受阻的風險，並在 AI 晶片供應鏈中分到更大的份額。

學者拆解台積電四條路：不蓋 DRAM 廠，也能吃下高附加價值

成均館大學化學工程系教授 Kwon Seok-joon 分析，台積電無需親自興建 DRAM 工廠，就能透過四條路徑切入記憶體產業的高附加價值領域：

擴大 Base Die 的製造
透過混合鍵合主導堆疊與整合
與台灣 DRAM 業者合作
製造 3D DRAM 的週邊電路

其中，混合鍵合是關鍵。當 HBM 的堆疊層數增加到 20 層上下，不使用微凸塊（Micro Bump）、直接接合晶片的混合鍵合就會變得更加重要。如果台積電連這道製程也一併承接，即使 SK 海力士持續供應 DRAM 核心晶粒（Core Die），輝達與台積電仍掌握了成品的設計與製造主導權，重塑供應鏈的地位平衡。

一位 SK 海力士前高層警告，在 HBM 邁向 20 層以上的過程中，若無法掌握 Base Die、鍵合與熱處理技術的主導權，南韓兩大記憶體廠恐怕會淪為只能供應 DRAM 單元的下游承包商。