彭博：三星 HBM4 高頻記憶體進入輝達最終資格認證，下個月即可量產
三星在高頻寬記憶體（HBM）競賽上傳出關鍵進展。《彭博》引述知情人士說法，三星最新一代 AI 記憶體晶片 HBM4 已進入輝達最終資格認證（final qualification）階段，距離正式取得供應資格再近一步，可望縮小與 SK 海力士（SK Hynix）之間的差距。
(輝達 Vera Rubin 有何改變？解析記憶體戰國時代：SK 海力士、三星、美光、SanDisk)
知情人士曝：三星 HBM4 下個月即可量產
知情人士指出，三星早在 2025 年 9 月就向輝達提供 HBM4 初始樣品，目前正邁入最終驗證流程。輝達在 AI 加速器產品上大量採用 HBM，以支撐高速資料吞吐與大模型訓練、推論需求。
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該名知情人士透露，三星正準備於 2026 年 2 月啟動 HBM4 量產，已具備「不久後即可出貨」的供應能力，但實際出貨時間仍未完全明朗。
SK 海力士、三星財報周四登場
市場關注：若三星順利完成認證，是否能與 SK 海力士、美光（Micron）並列，成為輝達下一代旗艦 AI 平台 Rubin 的記憶體供應來源。至今輝達在最先進 HBM 供應上仍最倚重 SK 海力士。
此外，南韓《韓國經濟日報》報導，三星已通過輝達與 AMD 的 HBM4 最終品質測試，不再只是送樣，而是開始進入量產產品的正式訂單與出貨準備；報導並稱三星最快可能於下月開始向輝達與 AMD 供貨。
依《韓國經濟日報》說法，三星 HBM4 的動作速度可達每秒 11.7Gb，高於輝達與 AMD 原先要求的 10Gb 規格。報導指出，三星為在 HBM4 世代逆轉戰局，採取極致性能策略：DRAM 採用較競品更先進的 10 奈米級 Gen6（1c），Logic Die 則導入三星晶圓代工的 4nm 先進製程。
SK 海力士將於本週四 (1 月 29 日) 台灣時間早上八點召開財報電話會議，三星則是同日的早上九點。市場預期管理層將在會中更新 HBM4 驗證進度、量產時程、以及輝達／AMD 等大客戶導入節點。若三星能在 HBM4 世代取得更明確的「量產供貨」里程碑，將直接牽動 2026 年 HBM 產能分配、價格談判力，以及輝達 Rubin 平台供應鏈的重新排序。
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