日本記憶體大廠鎧俠拚明年量產第 10 代 NAND，趁三星、SK 海力士延後轉換追趕技術差距
日本 NAND 大廠鎧俠（Kioxia）計畫將次世代 NAND 量產列為明年主要任務，目標在 2026 會計年度推出第 10 代 BiCS NAND。相較之下，三星電子與 SK 海力士雖也在開發第 10 代 NAND，但實際量產投資時程仍未明朗，外界解讀，鎧俠正試圖趁韓系記憶體大廠放緩轉換腳步之際，加速縮小技術差距。
根據韓媒報導，半導體業界人士透露，鎧俠計畫在明年推動第 10 代 BiCS NAND 量產。不過，相關投資規模與實際量產量仍待觀察，業界預期具體投資輪廓可能要到今年下半年才會浮現。
鎧俠鎖定第 10 代 BiCS NAND，列為 2026 會計年度優先戰略
鎧俠是日本主要 NAND 製造商，也是全球 NAND 市場第三大業者。根據市調機構 TrendForce 資料，鎧俠在去年第四季全球 NAND 市場市占率為 14.1%，僅次於三星電子的 28.0% 與 SK 海力士的 22.1%。
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在近期財報說明中，鎧俠將「推出第 10 代 BiCS NAND」列為 2026 會計年度，也就是 2026 年 4 月至 2027 年 3 月的優先戰略之一。報導指出，鎧俠最近一季的設備投資也集中在第 8 代與第 10 代 NAND 相關項目，顯示公司正把資源投入先進 NAND 世代轉換。
這對鎧俠而言具有戰略意義。過去 NAND 技術競賽主要由三星、SK 海力士、美光等業者主導，鎧俠雖具備技術底蘊，但在市占與資本規模上相對受限。若能比韓系大廠更積極推動第 10 代 NAND 量產，鎧俠有機會在技術形象與高階產品供應上重新取得聲量。
332 層堆疊：容量提升 59%、傳輸速度提升 33%
NAND 技術演進的核心，是將記憶體最小儲存單位 cell 以垂直方式堆疊更多層，藉此提高單位面積可儲存的資料容量。鎧俠採用自家的 BiCS（Bit Cost Scalable） 3D NAND 技術，透過提升堆疊層數與製程效率，改善成本、容量與效能。
根據報導，鎧俠第 10 代 BiCS NAND 堆疊層數達 332 層，相較前一代 218 層，單位面積資料儲存容量提升 59%，資料傳輸速度提升 33%。
這代表第 10 代 NAND 不只是單純「層數更多」，而是直接影響 SSD、資料中心儲存、AI server storage、消費性儲存裝置的容量密度與效能。尤其在 AI 訓練與推論資料量暴增、企業級 SSD 需求升溫的背景下，高密度 NAND 的重要性正在提高。
投資規模仍未定案，設備發注尚未確認
不過，鎧俠雖表態明年將推進第 10 代 NAND，但實際量產規模仍是未知數。
報導引述半導體業界人士說法指出，鎧俠原本最快可能從去年下半年開始推進第 10 代 NAND 投資，但目前仍沒有確定的設備發注。該人士預期，相關投資計畫的具體輪廓，可能要到今年下半年才會浮現。
這也意味著，鎧俠目前更像是先明確釋出「量產意志」，但仍需視市場需求、資金安排、設備供應與客戶導入節奏，決定第 10 代 NAND 的實際擴產速度。
對 NAND 產業來說，這點尤其重要。NAND 市場過去幾年歷經供過於求、價格下跌與資本支出收縮，廠商對大規模擴產相對謹慎。即便 AI 與資料中心儲存需求帶動高階 SSD 復甦，廠商仍需避免重蹈產能過剩的循環。
三星、SK 海力士放緩第 10 代 NAND 量產時程
鎧俠此時加速第 10 代 NAND 量產布局，另一個背景是三星電子與 SK 海力士的轉換時程出現延後。
報導指出，三星電子原本計畫今年量產 430 層級第 10 代 NAND，但目前時程已至少延後至明年。原因可能包括第 10 代 NAND 技術難度較高，以及市場需求狀況仍需觀察。
熟悉情況的業界人士表示，三星電子仍在評估第 10 代 NAND 轉換投資時機，尚未分享具體設備發注計畫；SK 海力士的情況也類似，雖然正在開發第 10 代 NAND，但實際量產投資尚未執行。
這使得鎧俠的策略更值得關注。如果三星與 SK 海力士因技術難度、需求評估或資本配置而暫緩轉換，鎧俠若能率先建立量產經驗，就可能在特定產品線或高階客戶認證上取得先發優勢。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
