高盛警告記憶體產業「遇到大麻煩」：長鑫存儲 DRAM 產能 2030 年將翻倍
中國記憶體龍頭長鑫存儲（CXMT）日前在上海科創板掛牌首日股價暴漲逾 470%，盤中隱含市值一度突破 5,000 億美元、短暫超越英特爾（Intel）。高盛（Goldman Sachs）對此警告，認為記憶體產業遇到了「大麻煩」，預測中國 DRAM 產能將於 2030 年翻倍，國產設備滲透率將大幅攀升，三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）的三巨頭正面臨前所未有的挑戰。
長鑫存儲 IPO 首秀：市值超越英特爾，蘋果評估採購 DRAM
長鑫存儲（CXMT）在科創板的首日表現堪稱近年 IPO 史上最受矚目的事件之一。掛牌當日股價較發行價暴漲 472%，隱含市值在盤中短暫突破 5,000 億美元，一舉超過英特爾市值，引發全球對中國半導體自主崛起的高度關注。
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CXMT 備受矚目，不僅因為其在中國記憶體供應鏈中的關鍵地位，更因為蘋果（Apple）據報正積極評估將其納入 DRAM 替代供應商名單，以減少對三星、SK 海力士與美光的依賴。一旦成真，將進一步確立 CXMT 的全球級供應商地位，對現有三巨頭寡占格局造成衝擊。
高盛上市前夕召開閉門專家會議：2030 年中國 DRAM 產能將翻倍
就在 CXMT 上市前夕，高盛於 7 月 24 日召開一場聚焦中國記憶體產業的專家閉門會議，深入分析中國 DRAM 產業擴產趨勢、技術路線演進，以及全球記憶體價格走勢三大核心議題。Zerohedge 對此解讀：「記憶體產業遇到了新麻煩。」
產能方面，與會專家對中國主要 DRAM 廠商的擴產前景維持樂觀，預估至 2030 年，中國記憶體龍頭的年產能將較當前水準翻倍。這波新增產能最關鍵的變化，在於對中國本土半導體設備的依賴程度正快速提升。
在部分廠房內，除微影機（lithography machine）仍須仰賴進口外，其餘製程環節已大幅轉向使用國產設備，象徵著中國半導體供應鏈自主化進度的重大躍進。
中國技術路線：HBM3E 2026 量產、3D DRAM 2027 突破
面對 EUV 極紫外光微影機的出口管制封鎖，中國廠商並未在技術路線上陷入僵局，而是展開三條平行推進的突圍策略：
- 在 HBM 領域，長鑫存儲已明確設定目標，計劃於 2026 年實現 HBM3 及 HBM3E 的量產，直接切入 AI 伺服器最核心的高階記憶體市場，與 SK 海力士、三星、美光正面競爭。
- 由於 EUV 設備遭西方出口管制封鎖，中國廠商轉而採用 DUV 微影機搭配多重創新製程路線，試圖在技術節點上縮小差距。
- 3D DRAM 技術預計將於 2027 年迎來新一輪研發突破，被視為繞過 EUV 限制、在高階製程上取得突破的潛力解方。
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高盛展望：下半年 DRAM 漲幅收窄，AI 伺服器需求延伸至 2027 年
儘管供給端擴張訊號明確，需求端的價格走勢在短期內仍存在分歧。高盛專家指出，進入第三、四季後，受到智慧型手機品牌對記憶體漲價的抵制情緒升溫影響，DRAM 現貨與合約價的漲幅預計將較上半年明顯收窄，消費性電子市場對價格上漲的承受空間有限。
然而，全球 AI 基礎設施投資的強勁動能，預期將持續支撐高階記憶體的需求，成為對沖消費市場疲軟的關鍵力量。
整體而言，高盛預測記憶體價格的上行趨勢將延續至 2027 年，AI 伺服器對 HBM 及高速 DRAM 的旺盛需求，是支撐該判斷的核心基礎。隨著長鑫存儲的強勢登場，全球記憶體產業的競爭版圖正在加速重組。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
