台積電跨足 3D DRAM 製造？華邦電董事長：台積電「不會做半吊子」
根據外媒《The Information》報導，台積電（2330）應最大客戶輝達的要求，已開始研擬生產新一代 3D DRAM 記憶體，正在評估自建新廠或收購現有工廠改裝，若台積電也投入製造記憶體晶片，很可能會改變全球記憶體大廠三強鼎立的局面。但產業專家認為，台積電跨足記憶體不具成本效益，加上技術和專利門檻等問題，實際投入的機率很低。
台積電自己做記憶體？外媒：應輝達要求研擬生產 3D DRAM
《The Information》引述知情人士指出，台積電近期已開始規劃生產 3D DRAM 的先進記憶體晶片，起因是最大客戶輝達（NVDA）的要求。這項計畫很可能讓台積電在 AI 硬體市場拿下更大的份額，也將讓台積電和三星、SK 海力士、美光等記憶體大廠正面競爭。
工商時報報導，台積電表示不評論市場傳聞或臆測，並強調公司始終專注於晶圓代工核心業務；輝達則沒有回應。
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傳輝達欲解記憶體缺貨困境，台積電考慮自建新廠或買廠改裝
AI 帶動記憶體嚴重缺貨，價格持續上漲，晶片設計業者紛紛尋找更多供應來源。報導指出，台積電正在評估兩種做法：一是興建專門生產先進記憶體的新廠；二是收購現有晶圓廠，再把產線改裝成記憶體生產用途。
後者的做法類似美光（MU）今年三月以 18 億美元收購力積電（6770）在台灣的一座晶圓廠，改造為記憶體生產基地。目前尚不清楚台積電何時可能開始生產，這項計畫傳由台積電負責先進封裝的副總經理主導。
台積電握有垂直式 DRAM 專利，重點在整合而非製造
3D DRAM 需將多層材料堆疊、蝕刻和三維結構控制，和台積電的奈米片製程有共通基礎，台積電也持有垂直式 DRAM 的相關專利，切入門檻並不高。香港聚芯資本管理合夥人陳慧明則認為，輝達可能更希望台積電在這部分更積極，重點是在 3D 封裝上如何整合記憶體和邏輯晶片，而不是單純的 DRAM 的製造。
台積電恐動搖三大廠地位？專家：記憶體另建廠費用龐大
業界分析，傳統 DRAM 多採用鞍鰭（Saddle Fin）等埋入式閘極結構，三星、SK 海力士和美光已投入多年，在專用製程、量產經驗和成本上都有優勢。台積電如果要做，必須建立和邏輯晶片不同的生產流程，也要承擔記憶體價格的景氣循環。
雲報政經產業研究院副社長柴煥欣指出，邏輯產品和記憶體使用的設備不同，台積電如果另外蓋廠，資本支出和設備採購都是一筆龐大的費用。
華邦電焦佑鈞看記憶體傳聞：台積電「不會做半吊子」
華邦電（2344）董事長焦佑鈞在公司家庭日受訪時表示，晶圓代工業者要進軍 DRAM，會面臨技術來源和專利佈局兩大挑戰，且自主研發會耗費龐大資金，也必須處理複雜的記憶體專利問題。
焦佑鈞認為，台積電向來以「不與客戶競爭」為原則，目前和三星、華邦電等記憶體業者在先進封裝領域合作甚密，台積電也為 SK 海力士生產新一代高頻寬記憶體（HBM）的基礎邏輯晶粒，他認為目前台積電投入 DRAM 開發的可能性不高。
他指出，台積電是一家追求卓越的公司，如果真的規劃跨足 DRAM，絕不會「做半吊子」，一定會在技術成熟前默默耕耘，不會輕易釋出還沒準備好的訊息。
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