艾司摩爾成記憶體大戰最大贏家？三星、SK 海力士 EUV 訂單排到 2027 年底

Crumax

53 分鐘前

南韓記憶體雙雄正爭搶艾司摩爾（ASML）的 EUV（極紫外光）曝光機。根據朝鮮日報報導，三星電子（Samsung）與 SK 海力士（SK hynix）各自投入約 10 兆至 20 兆韓元，並將自 2027 年起陸續接機。在 ASML 正式承認 2027 至 2028 年 EUV 供給不足後，「機台交付順位」已成為先進 DRAM 擴產的關鍵變數。

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三星、SK 海力士各砸 10 兆韓元，搶 EUV 交機排序

報導指出，SK 海力士今年 3 月公告將採購約 11.95 兆韓元規模的 EUV 設備，交付期限為 2027 年 12 月 31 日。由於關鍵設備的交期拉長到過去的最多 2 倍，兩家公司都在評估提前下單，後續也會視情況追加訂單，資本支出或將繼續墊高。

三星方面，配合平澤廠擴產增加訂單，去年 11 月宣布五年投入 450 兆韓元的國內投資，其中包含平澤五廠（P5），目標 2028 年啟用，單座晶圓廠投資額據稱超過 60 兆韓元。業界預期，P5 第一期無塵室將在明年上半年完工並開始進機，三星已為這條產線下單曝光設備。

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（Terafab 擬明年接收 ASML 首台 EUV 極紫外線光刻印機台）

ASML 坦言供不應求到 2028 年，記憶體廠佔系統營收近半

ASML 在第三季財報說明會上表示，目前規劃的 2027 至 2028 年供給，仍無法滿足客戶需求。今年 EUV 出貨量約 65 台，較去年的 44 台成長近 50%；即使 2027 年產能提高 30%，並評估 2028 年再增加 30%，公司認為仍然不足。

價格方面，ASML 關鍵產品的漲價效益將從明年開始反映，預計 2028 年完整顯現。今年第三季的系統營收中，記憶體廠佔比達 46% 成 EUV 的主力買家之一。對設備供應鏈而言，這也代表 ASML 在交期與價格上的談判籌碼進一步增強。

（台積電是否過熱？艾司摩爾（ASML）最新財報透露了什麼）

1c DRAM 更吃 EUV：高數值孔徑設備也要導入量產

EUV 曝光機以 13.5 奈米波長的光線刻畫電路，可減少需要多次分割圖形的多重曝光（multi-patterning）流程，進而提升精度與良率。進入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 後，電路間距更窄，使用 EUV 的製程層數持續增加。市調機構 TrendForce 指出，SK 海力士計畫在 1c DRAM 導入 5 層以上 EUV，比前一代多出 2 層。

兩家公司在 EUV DRAM 上都已累積經驗。三星已在 2020 年 3 月率先出貨採用 EUV 的 DRAM 模組，EUV 保有量據稱是記憶體業界最多；SK 海力士則於 2021 年 2 月在利川 M16 廠裝入第一台 EUV，去年 9 月更率先引進量產用的 High NA EUV。三星也在今年 9 月 8 日宣布擴大與 ASML 合作，目標是 2028 年前將 High NA EUV 導入 DRAM 量產。