SK 海力士傳洽談英特爾，合資落地美國生產本土記憶體晶片
路透社報導，SK 海力士（SK Hynix）傳出正與英特爾（Intel）就美國本土記憶體晶片製造展開洽談，此舉若成真，將是 SK 海力士首度在美國進行晶圓前段製程生產，同時有望成為川普政府推動半導體供應鏈回流的重大政績，然而南韓政府的立場仍是最大變數。
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SK 海力士與英特爾合作架構：租用廠區、三方合資待定
三位知情人士透露，目前雙方的談判中有兩種潛在合作框架。一是 SK 海力士租用英特爾位於俄亥俄州 New Albany 的晶圓廠廠區部分空間，自行生產記憶體晶片；二是 SK 海力士與英特爾、以及有意鎖定記憶體供應的主要雲端業者共同成立合資企業（JV）。
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合資方案反映了當前 AI 基礎建設投資浪潮下，雲端業者搶先確保 HBM 與 DRAM 穩定供應的迫切需求。
消息人士強調，雙方目前仍處於探索性洽談階段，尚未做出任何決定，且 SK 海力士也可能考慮其他合作結構。SK 海力士對此回應：「正研究包括設立額外生產基地等各項強化記憶體事業競爭力的措施，但目前尚無任何定案。」
英特爾俄亥俄廠困境：代工產能填不滿、年虧 22 億美元
英特爾的俄亥俄廠是其 2022 年宣布的重大投資案，計畫投入高達 1,000 億美元，打造可能成為全球規模最大的晶圓製造園區，足以容納 8 座晶圓廠。然而受限於客戶嚴重不足，英特爾代工部門長期難以填滿產能，去年全年虧損 22 億美元，原訂 2025 年投產的 Fab 27 與 Fab 28 兩座廠房已分別延後至 2030 年與 2031 年。
對財務持續承壓、且美國政府直接持股的英特爾而言，引進 SK 海力士不僅能為俄亥俄廠導入實際生產活動，更能分攤資本支出壓力，為重整代工業務爭取空間。
（英特爾 18A-P 製程進入風險試產！劍指蘋果大單，挑戰台積電晶圓代工版圖）
SK 海力士為何落腳美國？關稅威脅成主因
SK 海力士在美國本土並沒有晶圓前段製程產能，目前僅在印第安納州投入約 38.7 億美元興建 HBM 先進封裝廠，預計 2028 年投入運作。今年 7 月完成 Nasdaq 掛牌後，公司與美國資本市場的綁定進一步加深。
鑑於美國商務部長 Howard Lutnick 曾公開威脅，若南韓與台灣企業未能承諾在美擴產，將面臨最高 100% 的懲罰性關稅。 SK 海力士尋求落地美國的壓力也其來有自。
南韓政府的算盤：SK 海力士成美韓投資談判籌碼
儘管動機充分，南韓政府的立場是此案最大的政治變數。韓國貿易部表示，任何涉及國家核心技術的投資決策，均須依《產業技術保護法》接受政府審查，而 HBM 與先進 DRAM 都在名單中。
據悉，南韓去年對美承諾整體 3,500 億美元的投資方案，其中 1,500 億美元已劃定用於造船業，但剩餘的 2,000 億美元用途至今懸而未決，美韓雙方仍在角力。業界認為，南韓政府目前正將 SK 海力士的赴美投資動作視為談判籌碼。華府則持續向公司 SK 海力士施壓，要求儘速做出決定。
另外，南韓政府也要求 SK 海力士與三星電子（Samsung Electronics）加速在南韓西南部建立新晶片製造聚落，進一步壓縮公司將資本與技術外移的空間。
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