SK 海力士傳委託 Intel 代工 HBM4E 底層晶片，台積電獨家地位面臨挑戰
南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）今傳正評估將第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的底層晶片（base die）部分產能，委由英特爾晶圓代工（Intel Foundry）生產。此舉若成真，將打破台積電自 HBM4 世代起在 SK 海力士 base die 代工市場的獨家地位，並可能重塑 AI 記憶體的供應鏈格局。
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SK 海力士擬建立 HBM4E Base Die 雙供應商策略
根據南韓《先驅經濟報（Herald Economy）》8 月 31 日的獨家報導，SK 海力士正積極推動一項計畫，目標是在 HBM4E 世代讓 base die 的生產同時由台積電與 Intel Foundry 共同承接。這是 SK 海力士首次考慮在台積電外引入第二家晶圓代工夥伴，時間點可能在 HBM4E 量產階段就實施。
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Base die 是 HBM 記憶體堆疊結構最底部的邏輯晶片，是整顆 HBM 的控制核心，負責管理其上方垂直堆疊的多層 DRAM core die，並提供 HBM 與外部 GPU、CPU 之間的高速介面。在 HBM3E 及以前的世代，SK 海力士以自家製程內製 base die；進入 HBM4 世代後，由於 base die 的邏輯複雜度與效能要求大幅提升，SK 海力士轉而委託台積電以 12 奈米級製程代工生產，台積電也是其唯一的外部 base die 供應商。
Base Die 成本高出 Core Die 三至四倍，HBM4E 壓力更甚
促使 SK 海力士尋求替代方案的主要原因，是 base die 持續攀升的成本壓力。業界消息人士透露，台積電代工生產的 HBM4 base die，其單位成本估計是 SK 海力士以自家 1b 10 奈米級製程內製的 core die 的三至四倍。Core die 是 HBM 堆疊中實際儲存資料的 DRAM 晶片，成本相對可控；但 base die 因需仰賴先進邏輯製程，成本通常壓不下來。
進入 HBM4E 世代後，base die 規格預計會更加複雜，成本壓力更為嚴峻。然而，HBM 產品普遍受到長期供貨協議（LTA）的約束，SK 海力士難以在短期內透過調漲售價的方式將上升的代工成本轉嫁給客戶。在這樣的困境下，引入 Intel 作為代工夥伴，被業界視為 SK 海力士在成本管控與供貨穩定性之間取得平衡的現實解法。
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背後戰略：議價籌碼、分散供應鏈，以及客製化 HBM 新賽局
除了成本考量外，SK 海力士此舉也透露出更長遠的供應鏈戰略，具體包括：
- 引入第二家代工廠能強化 SK 海力士對台積電的議價能力，改變雙方長期以來的談判格局
- 在地緣政治與供應鏈安全備受關注的情況下，過度集中於單一代工夥伴也存在一定風險
另外，還有 Custom HBM 趨勢的加速。從 HBM4 世代起，包括 NVIDIA、Google、Amazon 等各大 AI 加速器廠商，開始要求針對各自 AI 晶片架構的效能特性，客製化設計 HBM 的 base die。
這代表 SK 海力士在不同客戶之間，需要保有更大的代工合作彈性，不能讓自己的供應生態過度綁定在特定代工廠與特定客戶的組合中。若能同時與台積電和 Intel 合作，SK 海力士將在面對其他 AI 晶片客戶時，擁有更充裕的議價空間與合作彈性。
合作範疇有望伸進先進封裝，SK 海力士證實評估 EMIB
值得注意的是，外界對於 SK 海力士與 Intel 潛在合作的想像，並不侷限於 base die 代工本身。業界也開始揣測，雙方的合作範疇有望進一步延伸至先進封裝領域。
SK 海力士美國公司封裝工程副總裁 Lee Jae-sik 日前在矽谷舉行的 Hot Chips 年會上公開表示，SK 海力士正評估並比較當前主要的先進封裝技術，包括台積電的 CoWoS-S、CoWoS-L，以及 Intel 的 EMIB。這番話被解讀為 SK 海力士考慮在封裝方面也建立多元技術選項，形成相互呼應的戰略脈絡。
目前 SK 海力士與 Intel 均尚未對此證實或否認，然而這則消息已傳遞出一個訊號：台積電在 AI 記憶體供應鏈中的獨家代工地位，正面臨來自 Intel 與三星電子（Samsung Electronics）的競爭壓力。
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