六個月抹平十年虧損：長鑫存儲吃滿 AI 內需紅利、喊 2030 年超越美光
中國長鑫存儲（CXMT）將於下週一上市上海交易所，IPO 規模高達 86 億美元。這家公司在短短六個月內，憑藉 AI 基礎設施建設帶動的爆發性需求，不僅抹平長達十年的累計虧損，更握有對華為等企業漲價的主動權，躍居全球第四大記憶體晶片製造商。
長鑫存儲搭上 AI 資料中心浪潮，第一季營收暴增 719%
路透社報導，長鑫存儲今年第一季營收達 75 億美元，較去年同期暴增 719%，六個月內化十年虧損為盈利，幕後推手是全球 AI 資料中心的快速擴張。DRAM 記憶體晶片是伺服器運算的基礎元件，AI 模型訓練與推論對記憶體頻寬與容量的需求呈指數級攀升，讓原本利潤微薄的記憶體晶片一躍成為全球最搶手的戰略物資之一。
長鑫存儲作為全球第四大記憶體製造商，市場地位的鞏固速度超出多數業界預期。其 NAND Flash 對等廠長江存儲（YMTC）也正籌備上市，之情人士透露內部喊出 1 兆人民幣（約 1,480 億美元）的估值目標，兩公司被稱為「記憶體雙星」。
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（從長鑫存儲 CXMT IPO 文件看記憶體鬼故事：中國削價競爭會打擊市場嗎？）
華為都拿它沒辦法！長鑫存儲手握中國記憶體定價權
長鑫存儲市場地位的躍升也反映在其與其他企業的談判關係中，該公司近幾個月多次對長期合作夥伴華為調漲供貨價格，而在後者要求降價遭拒後，雙方在合肥廠區爆發衝突。
知情人士透露，長鑫存儲在毫無預警的情況下，驅逐華為關聯設備商新凱來（SiCarrier）的駐廠工程師，要求其立即打包行李離開園區。儘管雙方合作仍在持續，但相關工程師至今仍無法重返崗位。由此可見，長鑫存儲已具備足夠話語權，能夠與中國科技巨頭硬碰硬且毫不退讓。
定價方面也是如此，報導指出，長鑫存儲近期 64GB DDR5 伺服器記憶體模組報價，已超越三星（Samsung）同類產品約每單位 1,240 美元的行情。據傳中國多家電子與科技廠商因不堪記憶體漲價壓力，已向中國工業和信息化部投訴，控訴 CXMT 漲價導致新品上市計畫延誤。
字節跳動、騰訊百億美元訂單：長鑫鎖定內需版圖
龐大的國內需求正被轉化為長期鎖定的供應合約。路透社首度披露，長鑫存儲本月與 TikTok 母公司字節跳動簽署一份為期五年、金額逾 70 億美元的供貨協議。此前，該公司才剛跟騰訊（Tencent）敲定逾 30 億美元的供貨合約，兩筆訂單價值總計超過百億美元。
知情人士透露，中國當局已要求長鑫與長江優先保障國內企業供貨，並限制國有企業採購境外記憶體晶片，等同於為兩家公司建起一道需求護城河。兩家公司均獲得國家基金及地方省政府的財政支持，被官方定位為中國技術自立的核心戰略基礎設施。
長鑫加速擴產：2027 年衝出國門、2030 年超越美光
長鑫存儲的野心並未止步於國內，三名知情人士指出，長鑫存儲的長期目標是打入美國市場，但目前產能仍受龐大國內訂單充分佔用。對此，公司正在上海與合肥各自興建新廠，並就第三廠址與地方政府展開協商，一旦計畫落實，月產能將從現有水準倍增至逾 60 萬片晶圓。
若建廠時程順利推進，最快 2027 年新產線投產後，長鑫存儲將具備同時服務中國與海外市場的能力，並有望於 2030 年在總產能上超越美國記憶體龍頭美光（Micron）。
長江存儲則已率先邁出海外佈局的第一步，六月進軍南韓消費級記憶體市場，填補三星、SK 海力士與美光淡出消費型 NAND Flash 後的市場缺口。
（中國進軍「後 HBM 世代」！長鑫秘研鍵合 DRAM、長江 NAND 專利超車三星）
兩大瓶頸：美國制裁與 EUV 禁令
然而，長鑫存儲與長江存儲仍面臨兩大瓶頸。地緣政治方面，美國五角大廈已將兩公司列為「中國軍事企業」，在相關供應商、軟體與設備取得均受到嚴格限制。眼看蘋果（Apple）先前傳出正向美方遊說進口 CXMT 記憶體，川普政府內部在此議題上仍意見分歧，國會正就是否進一步收緊進出口管制進行辯論。
（美光是下一個輝達嗎？從「蘋果求進口中國記憶體」看 DRAM 供應缺口有多大）
技術方面，兩公司目前皆依賴荷蘭 ASML 的深紫外光（DUV）微影設備；荷蘭政府自 2019 年起在美國壓力下拒絕向中國出口更先進的極紫外光（EUV）設備，而三星與 SK 海力士已採用 EUV 量產下一代 DRAM。研調機構 SemiAnalysis 分析師 Ray Wang 指出，長鑫存儲在高頻寬記憶體（HBM）領域目前仍落後對手約兩個世代：「若微影設備的出口管制進一步收緊，將是中國記憶體廠面臨的最大挑戰。」
長江存儲對此加速設備國產化，目前已將約半數設備替換為國產機台，並開發出以 DUV 設備堆疊記憶體層的替代製程，具有較強的抗制裁韌性。
六個月的財務奇蹟，是 AI 需求爆發、政策保護與長期國家資本投入的共同結果，面對外部市場的重重關卡，長鑫存儲這場崛起能走多遠仍是未知數。
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