DRAM 三巨頭祭 SCA 鎖單、入股 AI 企業：四原因解釋為何記憶體這次不一樣
面對外界擔憂記憶體產業是否會重蹈「週期性」覆徹，美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）、三星電子（Samsung Electronics）三大 DRAM 供應商正透過 SCA（Strategic Customer Agreements）、AI 實驗室股權投資、以及赴美發行 ADR 等方式，試圖擺脫「暴漲暴跌」的慣性。如今需求端早已就位，本文將梳理四個關鍵轉變，說明記憶體產業為何這次不一樣。
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四大轉變：這輪記憶體週期有什麼不一樣？
過去每一輪記憶體漲跌週期都有著類似的劇本：「需求爆發、供給追趕、產能過剩、價格崩跌，然後一切重來。」這次 P Equity Research 與 AI 基礎設施分析師 Muhammad Zuhair 共同從供應商、買方與資本市場三個面向解析，說明週期為何已經被打破。
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從美光亮眼財報出發：需求強勁、但動能可以撐多久？
美光 Q3 FY2026 的數字，可以說是初步終結了市場對這輪 DRAM 需求強度的所有懷疑。單季營收 414.6 億美元，季增 74%、年增 346%；GAAP 毛利率 84.9%。從 FQ1-24 的虧損 11 億美元，到 FQ3-26 的 333 億美元，這條曲線幾乎是垂直拉升，獲利能力超越亞馬遜等基礎設施巨頭。
根據摩根大通（JP Morgan）的供需模型，DRAM Bit 需求成長率在 2026 年預估為 32.5%、2027 年為 34.4%，而同期 Bit 出貨成長率僅有 22.9% 與 21.7%，供需缺口在 2027 年達到約 13 個百分點的最大值，並在 2028 年出現第一次供給超越需求的轉折。
SCA 取代 LTA：DRAM 供應商首度把週期風險轉嫁給買方
這輪景氣最關鍵的轉變在於合約方面，美光據悉已簽署 16 份 SCA，以最低承諾出貨量與最低合約價格計算，RPO（未來營收承諾）仍累計超過 1,000 億美元。
SCA 的重要性，在於它與傳統 LTA（Long-Term Agreement）的差異。過去的 LTA 幾乎可以說是在迎合買方：供應商承諾在客戶要求時供貨，但客戶沒有強制義務，一旦現貨市場價格下跌，客戶直接轉向，供應商則獨自承擔損失。
SCA 的設計明確堵住了這個漏洞，具體體現在三個層面：
- 定價區間：設有明確的價格地板（floor）與天花板（ceiling），鎖定景氣盛衰間良好的毛利表現。
- 財務承諾：客戶須預付現金或由第三方帳戶持有的信用狀作擔保，這意味著客戶若提前退出，供應商仍有具備直接動用的資本，大幅改善擴產時的資產負債表。
- 第三是合約期限：通常為三到五年，美光的大型 SCA 多半從 2026 年一路延伸至 2030 年。
就覆蓋率而言，目前 16 份 SCA 約涵蓋美光約 20% 的 DRAM 出貨量與 33% 的 NAND 出貨量，公司目標是讓 SCA 結構覆蓋超過 50% 的總營收。這是記憶體產業史上第一次，供應商不再獨自承受產能擴張與需求波動的全部風險，由買賣雙方共同承擔。
記憶體供應商入股 AI 實驗室：利益綁定打造生命共同體
同時，美光、SK 海力士與三星電子均大規模入股 AI 頂尖實驗室，包括參與 Anthropic 的 H 輪融資，換取涵蓋 HBM、DRAM 與 SSD 的長期供應承諾。
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另一方面，Anthropic 與 OpenAI 都已投入自研 ASIC 開發，隨著每一代晶片 HBM 需求的大幅提升，當記憶體供應商手握客戶公司的股權，客戶關係就不再是純粹的採購交易，甚至能提前取得晶片路線圖的能見度，並與客戶的商業成功形成財務上的利益綁定。
記憶體 AI 資本支出佔比日漸增長：HBM 成本成最大瓶頸
記憶體佔超大規模雲端業者（hyperscaler）總 CapEx 的比重，從 2023 至 2024 年的 7.7% 左右，跳升至 2025 年的 13.5%，預計 2026 年達 30.0%，2027 年更進一步攀升至 36.2%。高盛（Goldman Sachs）預估 2026 至 2031 年間，全球 AI 基礎設施的總 CapEx 將達 7.6 兆美元，其中僅 2026 年就達 7,650 億美元，計算晶片佔其中 64.5%。
產品方面，根據摩根士丹利的研究，Nvidia VR200 NVL72 機架的記憶體 BOM 成本較上一代 GB300 暴增 435%，從 37.4 萬美元飆至 200 萬美元。其中，記憶體在整個機架 BOM 中的佔比從 9% 跳升至 26%，該行預計這個上漲趨勢將在 Rubin 架構之後繼續增長。
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瑞穗證券（Mizuho）的分析進一步說明 ASIC 路線同樣無法規避記憶體成本的制約：Meta 的 MTIA 500（Astrid）配備 512GB HBM4，ASP 估算達 16,000美元；Google的 TPUv9p（Humifish）配備 432GB HBM4E，ASP 估算 13,000 美元。
即便 hyperscaler 轉向自研晶片，試圖繞過輝達 70% 以上毛利率的溢價，但在 HBM 方面仍然缺乏低成本的替代方案。
HBM 高成本的原因在於製程上的物理限制，不僅製程複雜度導致較低的良率、比起傳統 DDR 也將消耗更多的晶圓面積。Bernstein 估算指出，按當前定價，將產能配置給傳統 DRAM 可產生的每片晶圓收入是 HBM 的兩倍以上、毛利則接近三倍。
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記憶體風險仍存：SCA 護城河的有效期限、2028 年恐迎供需轉折
然而，這輪 DRAM 景氣雖有足夠的需求與立足點支撐，但有幾個風險仍需明確點出。
記憶體必須長期供不應求
最重要是 SCA 的預付機制依賴一個假設的成立：記憶體必須持續稀缺。SCA 中的客戶預付款並非一次性的永久擔保，而是按年審視的滾動式承諾；一旦供需或現貨 / 合約價格逐漸回歸正常，客戶就會失去繳交預付款的理由，SCA 簽約規模的增長也會陷入停滯，說明「這個護城河是有效期限制」。
生產 HBM 吃力不討好，產能分配攸關財務狀況
再來，HBM 漲價談判存在不確定性。傳統 DRAM 均價在 2025 年 Q3 至 2026 年 Q2 之間暴漲 4.5 倍，而同期 HBM 因年度合約鎖價而幾乎聞風不動，兩者之間的毛利落差造成供應商在晶圓配置上的財務困境。供應商正尋求特定 HBM 漲價 2 至 2.5 倍以弭平落差，但若談判破裂或結果低於目標，混合式產品組合的利潤率將惡化。
供需缺口 2028 收斂，高通 HBC 架構成隱憂
接著是 2028 年供需收斂的隱性壓力。JP Morgan的模型顯示，屆時全球 DRAM Bit 供給成長將首次超越需求成長，各廠新廠陸續量產後，產能將較當前已安裝產能擴張約一倍。如果 AI 基礎設施的 CapEx 在此時遭遇支出瓶頸，或記憶體效率技術（如高通的 HBC，一種基於 LPDDR 堆疊垂直整合、宣稱帶寬功耗比較 HBM 提升 6 倍的近記憶體運算架構）取得實質突破，供需平衡點可能提前到來。
中國填補 DRAM 市場缺口，三大廠恐面臨客戶流失
最後是中國 DRAM 供應商的長期壓力。CXMT 與 YMTC 目前的技術成熟度仍停留在一般用途 DRAM 與標準 NAND，短期內不會衝擊 HBM 市場，但若其出貨量在通用 DRAM 領域快速堆積，並填補目前被 HBM 產能配置排擠的消費型及行動裝置需求缺口，對原先三大廠競爭格局的影響將逐步浮現。
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