技術問題浮現？SK 海力士 HBM4 後段封裝設備訂單傳延至明年
南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）正擴大第六代高頻寬記憶體（HBM4）的量產規模，但據韓媒 Dealsite 報導，部分後段製程設備業者傳出，原定今年下半年交付的設備訂單可能遞延至明年，市場因此擔憂 HBM4 的擴產速度不如預期，甚至出現後段製程遇到技術困難的臆測。不過，目前並無證據顯示設備投資時程與產品品質之間存在直接關聯。
SK 海力士部分後段設備傳延至明年，投資計畫未明
報導引述半導體設備業界人士指出，SK 海力士 HBM4 相關的部分後段製程設備業者，近期對投資時程的不確定性明顯升高。原本預計今年下半年投入的部分設備，傳出有延到明年的跡象，後續的追加訂單計畫也還沒有具體化。一位業界人士表示，已交付的設備也還沒有足以確認是否滿載運轉的數據。
在明年的規劃方面，HBM4 相關投資計畫據了解尚未明確傳達給部分合作夥伴；也有業界人士推測，SK 海力士內部可能還沒有定案。另一方面，今年的 HBM4 設備訂單已大致告一段落，但追加投資的動作並不明顯。受訪人士認為，若要急著擴產，市場上一定會看到相應動靜，目前看不出 SK 海力士要增加或減少 HBM4 投資的明確訊號。
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後段製程技術問題臆測浮現？大信證券：杞人憂天
隨著設備訂單傳出遞延，市場出現 HBM4 後段製程可能有技術問題的猜測。不過報導強調，到目前為止，設備投資時程與產品品質問題之間的直接關聯尚未獲得證實。
大信證券（Daishin Securities）研究員柳亨根（音譯）在近期報告中提到，市場有人擔心主要客戶的 HBM4 品質問題，可能使業績低於預期，但這些擔憂過度。他指出，後段製程或許確實出現部分問題，但很難視為無法解決的風險，目前也還沒到討論瑕疵賠償的階段。
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通用型 DRAM 價格走升，投資轉向傳統記憶體？
另有市場人士把 HBM4 投資的節奏調整，與近期通用型 DRAM 的景氣連結。隨著通用型記憶體價格上漲，業界察覺到有將部分 HBM 投資改為一般記憶體投資的動向。一位設備業者表示，SK 海力士下半年對 HBM 的投資趨於保守，並把部分預算轉向價格走升的通用型 DRAM。
產能配置的安排也提供了旁證。SK 海力士預計在龍仁半導體園區建置中的 Y1 晶圓廠，優先於第一座無塵室導入 DRAM 生產設備，業界預期初期產線將採用第六代 10 奈米級（1c）製程。另有半導體業界人士指出，龍仁新增的產能預計先分配給通用型 DRAM，即使開始生產 1c DRAM，初期也不會用於 HBM。
HBM4 16 層樣品已送樣，投資時程與產品競爭力應分開看
在疑慮中，也有觀點認為不宜過度解讀。報導指出，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層堆疊樣品，在高堆疊封裝技術的開發上居於領先，因此投資時點與產品競爭力需要分開看待。
上述業界人士表示，SK 海力士在封裝技術上被認為是最領先的業者，不能只因為明年投資計畫尚未向外界說明，就斷定量產出了問題。
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