群聯 CEO 潘健成談長鑫 4F² 技術：沒事找鬼故事、什麼都缺就是不缺訂單

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2 小時前

中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）日前宣稱完成新一代 4F² 記憶體單元架構設計，引發全球記憶體類股賣壓，南韓股市甚至多次觸發熔斷。對此，儲存解決方案大廠群聯（8299）執行長潘健成在 15 日接受經濟日報採訪時直言，這只是「市場鬼故事」。他認為該技術離量產還遠，記憶體供給嚴重不足的局面短期內無法改變，笑稱「什麼都缺，就是不缺訂單」。

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潘健成：長鑫 4F² 技術剛發表，量產仍需時間

潘健成指出，長鑫 4F² 才剛對外公布，從技術驗證、良率提升到正式量產，每一關都得花時間。他表示「懷孕也要等九個月」，不可能一夕改變產業供需。目前短期衝擊相當有限，市場卻急著提前反映競爭壓力，根本是「沒事找故事」。

市場的擔憂在於，新架構若能提高晶片密度，長期確實可能改寫記憶體的成本結構與競爭態勢。不過，這能否轉化為實際供給，仍須觀察量產良率、產能規模與客戶導入速度。即使技術取得突破，也不代表大量新增供給會立刻進入市場。

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4F² 是什麼？馬斯克也擔憂中國擴產速度

4F² 是 DRAM 單一記憶體單元的佈局方式，目的是在相同面積內塞進更多單元，提升晶片密度與製造效率。業界現行主流 DRAM 多採 6F² 佈局，若 4F² 順利量產，理論上可降低每位元成本。

鏈新聞先前報導，長鑫作為全球第四大 DRAM 製造商，計畫在 2026 年底前以此技術推出 DDR5 伺服器記憶體。消息一出，全球記憶體股不分台韓美均全數下跌。截至今日，美光下跌 7.2%、三星電子下跌 17%，SK 海力士下跌 21.2%，日本鎧俠重挫 17.1%；台股南亞科、華邦電分別下跌 13.6% 與 7%，群聯下跌 7.6%。

（長鑫 DRAM 突破重創全球記憶體股！馬斯克也緊張：中國擴產速度太快）

特斯拉執行長馬斯克當時也在 X 上表示，中國一旦掌握製造方法，擴產能力往往遠超外界想像，並以鋰電池與太陽能為例，讓市場對中國記憶體廠擴產的疑慮更深。不過他同時認為記憶體「也許會不一樣」，包括較新的 HBM 架構與 3D 堆疊等技術，中國要追上則相對困難。