中國長鑫存儲擬年底推出 4F² 次世代 DDR5 RDIMM，領先三星兩年
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）近日釋出新一代 DRAM 技術時程。總裁曹堪宇博士在上海舉行的第四屆集成芯片和芯粒大會上發表演講，並宣布預計年底推出融合 4F² 記憶體單元架構等先進技術的新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。外媒 Wccftech 引述三星 4F² 路線圖指出，若長鑫如期推出，將領先三星兩年。
長鑫存儲首款 4F² DDR5 RDIMM 年底亮相
報導指出，曹堪宇在演講中完整介紹了長鑫在 DRAM 元件、4F² 架構與混合鍵合（hybrid bonding）等方向的技術探索，並宣布預計年底將推出整合上述技術的 DDR5 RDIMM 新產品。
RDIMM（Registered DIMM）是伺服器市場的主流記憶體模組，透過暫存器緩衝處理器送出的命令與位址訊號，降低電氣負載，讓單一主機板可安裝更多高容量模組。報導認為，長鑫把 4F² 架構的首代產品定為 DDR5 RDIMM，定位明顯面向伺服器記憶體領域。
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什麼是 4F² 架構？記憶體單元面積縮減約三分之一
目前業界主流的 DRAM 採用 6F² 記憶體單元，即每個單元由一個電晶體與一個電容組成。4F² 則將電晶體與電容改為垂直堆疊，使單元面積縮減為最小特徵尺寸（F）平方的 4 倍。在相同線寬下，單元面積可減少約 33%，換算密度理論上提升約 30% 至 50%。
從 6F² 轉向 4F² 是顛覆性的變化，既有製程無法直接沿用，必須建立全新的元件與製程體系。曹堪宇指出，長鑫針對字線金屬化、位線成型與接面活化等關鍵製程進行了優化。研發方面，長鑫公開的 4F² 相關專利族超過 300 件，並早在 2021 年就發表了中國大陸首篇 4F² 架構論文。
長鑫領先兩年！三星預計 2028 年導入
Citrini 研究員 Zephyr 對此指出，三星計畫於 2028 年導入 4F² 架構，並可能搭配記憶體單元與周邊電路分別製造、再以晶圓對晶圓混合鍵合堆疊的做法。由於混合鍵合成本高昂，報導推測三星相關產品定價將偏高。
Very interesting
Samsung plans to introduce 4F² in 2028 https://t.co/eKZw91UvJB— Zephyr (@zephyr_z9) October 10, 2026
不過 Wccftech 認為，長鑫首代產品較可能是以 15 奈米等級 G5 製程為基礎的部分衍生版，而非完整的 4F² 實現。換言之，所謂「領先」指的是導入時程，並不等於整體產品競爭力或量產規模。
（中國政府指示！長鑫存儲高層傳威脅廠內前三星員工，帶走關鍵製程配方）
長鑫持續擴產並導入 HKMG，量產良率與客戶認證成關鍵
Wccftech 另外指出，長鑫年底的月產能預計達約 30 萬片晶圓，由三座 DRAM 晶圓廠組成，另有約 5 萬片規模的 HBM 產能；上海與合肥的新廠完工後，月產能可望提升至 60 萬片，並有機會在 2030 年於量產規模上超越美光。
（高盛警告記憶體產業「遇到大麻煩」：長鑫存儲 DRAM 產能 2030 年將翻倍）
報導同時提到，長鑫正將高介電常數金屬閘極（HKMG）技術應用於 G4 DRAM 製程與 LPDDR5X 產品，藉此降低漏電、提升功耗效率與速度。
市場分析師 Fred Chen 則指出，長鑫已量產 G5，並採用 SAQP（自對準四重圖案化）作為關鍵製程之一。業界關注其年底公布的產品規格、4F² 產品的實際良率與量產時程，以及伺服器客戶的驗證與採用進度。
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