造光者 ASML 未來藍圖曝光！一窺執行長 Fouquet 的全球戰略視角
在 AI 熱潮全面推升晶片需求、卻同時引發投資是否過熱的質疑下，全球最關鍵的半導體設備商 ASML 被推到產業戰略核心。執行長 Christophe Fouquet 指出，面對 AI 發展節奏加快、製程進展逐步脫離摩爾定律，以及地緣政治帶來的不確定性，ASML 已明確勾勒未來十年以上的技術方向，將持續沿著 EUV、High NA 乃至下一世代技術推進，同時透過與客戶的長期協作，提前對齊產業未來路線。
ChatGPT 帶動 AI 熱潮，ASML 已成產業戰略核心
Fouquet 表示，晶片需求因 AI 爆發而急速上升。隨著 ChatGPT 問世，科技巨頭全面加速建置 AI 資料中心，最先進的邏輯與記憶體晶片需求暴增，ASML 的高階設備因此變得更不可或缺。
另一方面，市場也開始質疑這波投資是否過熱。輝達市值自高點回落，投資人開始擔心巨額資本支出能否真正轉化為商業回報。在這樣的環境下，ASML 是否能持續交付先進設備，成為整個 AI 產業的關鍵變數。
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三項核心主軸，定調未來十年技術方向
面對市場的不確定性，Fouquet 冷靜指出，ASML 在光刻技術上的未來路線，其實已經相當清楚。接下來多年，技術推進的重心會圍繞三個方向反覆深化：
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更高解析度
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更高精準度
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更高生產效率
在他看來，只要持續在這三條軸線上推進，ASML 就能跟上客戶對效能、功耗與成本的長期需求。
技術路線清楚，從 EUV 邁向 High NA 再到 Hyper NA
極紫外光技術 (EUV) 一向都是 ASML 在先進製程設備上的關鍵技術基礎。目前的 EUV 已經從 7 奈米一路推進到 3 奈米製程，成為輝達與 Apple 高階晶片的基礎。
在此之上，ASML 的下一個技術重點是高數值孔徑 EUV (High NA EUV)，目標是把製程推進到 2 奈米以下，帶來效能提升、降低發熱與功耗下降等關鍵優勢。
Intel 已於 2023 年接收第一台 High NA EUV 設備，目前仍在測試與系統成熟階段。Fouquet 表示，該設備在影像品質與解析度方面的表現已獲得驗證，接下來的重點是提升穩定性與長時間運轉能力。ASML 預期，High NA EUV 將在 2027～2028 年進入高量產階段。更長遠來看，下一世代的 Hyper NA 技術相關研究，也已同步展開。
AI 客戶節奏加速，晶片進步速度正脫離摩爾定律
Fouquet 也坦言，AI 客戶對晶片效能提升速度的期待，正快速拉高。過去半導體產業多遵循每兩年電晶體數量翻倍的「摩爾定律」，但以輝達為代表的 AI 客戶，如今期待的是每兩年電晶體成長至 16 倍。
這樣的節奏，意味著設備供應商不僅要跟上既有步伐，更必須提前為一個逐漸脫離傳統發展規律的產業環境來做準備。
長期協作模式確立，未來十年現在就要對齊
為了避免技術路線出現斷層，Fouquet 親自參與高度制度化的長期溝通。他每年與 Intel、台積電等客戶執行長進行兩次高層檢討會，也會參與技術會議，直接討論 10 年後的製程藍圖。
在會議中，晶片廠商說明未來產品方向，ASML 則同步說明設備規格，讓雙方能及早發現潛在落差。
該如何拿捏中國技術落後幅度，成地緣政治核心難題
在談到未來展望時，ASML 執行長 Christophe Fouquet 直言，地緣政治是無法迴避的風險。中國去年成為 ASML 最大市場，但在現行限制下，ASML 已被禁止向中國出售所有 EUV 設備，以及最先進等級的 DUV 設備。
目前 ASML 能供應給中國客戶的設備，在技術世代上已落後最新的 High NA 約 8 個世代。Fouquet 指出，這樣的落差勢必帶來壓力，並直言：「中國不會接受被切斷技術，這就是現實。」
他表示，西方可以選擇不提供最先進技術，改以較舊世代設備讓中國維持落後，但真正的問題在於，究竟要讓中國落後多久。Fouquet 警告，若過度施壓，最終可能迫使中國停止依賴西方技術、轉而自行開發，長期來看，這將意味著部分貿易關係的永久流失，甚至反過來形成新的競爭來源。
他最後強調，關鍵不在於是否延緩中國技術發展，而在於延緩到什麼程度，如何在延後、施壓與長期後果之間取得平衡，才是各方必須面對的核心問題。
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