SK海力士ADR大漲27%,溢價飆破51%點燃記憶體族群

Florence
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SK海力士ADR大漲27%,溢價飆破51%點燃記憶體族群

南韓記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)於美國發行的美國存託憑證(ADR)在掛牌第3天展現強勁漲勢,週二收盤大漲27.3%,幾乎收復前一日因南韓股市劇烈拋售而下跌的9.3%跌幅。由於法令與操作限制了普通股轉換為美國憑證的額度,此一供需結構使得美國ADR價格相較於首爾上市的普通股溢價幅度大幅飆升至51%。SK海力士 (000660)今日在韓國股市開盤大漲 10%,亦有望帶動台股記憶股族群如南亞科(2408)、旺宏 (2337)、華邦電 (2344)、力積電 (6770)  等全面反彈。

SK海力士選擇權開放與換股限制推升51%溢價

SK海力士本次於美國進行規模高達265億美元的存託憑證發行,每單位ADR代表10分之1的普通股。由於將南韓普通股轉換為美國存託憑證存在法令與額度限制,導致美國市場出現供給吃緊現象。在美國期權交易所正式開辦該ADR的選擇權(Options)交易後,全球最大的衍生性金融商品市場投資人得以更便利地參與這檔高波動記憶體晶片股,進一步將該證券與首爾普通股的溢價推升至51%,遠超公開發行同期的3%價差。

克服 AI 估值與景氣觸頂隱憂

在此波大漲前,全球金融市場正蔓延著對於 AI 生態系估值過高,以及半導體資本支出可能已達景氣頂峰的雙重疑慮。SK海力士 ADR 在歷經週一隨南韓本土市場大跌9.3%的衝擊後,隔日隨即以27.3%的漲幅反彈。此項價格韌性表明,即便市場對於半導體景氣循環存有戒心,國際機構法人對於具備高效能記憶體技術領先優勢的企業,依然維持高度的資金配置意願。

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美股記憶體與光通訊族群資金回流

作為全球高頻寬記憶體(HBM)的核心供應商,SK海力士ADR的凌厲漲勢發揮了外溢效應,成為美股盤面的最大亮點。該股的全面轉強,有效提振了美股市場中與AI硬體基礎設施高度相關的記憶體晶片製造商、光傳輸元件及光通訊族群的市場信心。資金的重新流入,顯示出科技板塊在歷經短暫修正後,硬體供應鏈的成長動能依然獲得結構性資金的支撐。

南亞科等記憶體族群有望全面反彈

SK海力士ADR在美股的強勢表現,預期將對台灣半導體供應鏈產生正面的催化作用。此前南亞科(2408)繳出漂亮成績單,卻受南韓股市下跌拖累未能突破新高,今日相關記憶體族群如旺宏 (2337)、華邦電 (2344)、力積電 (6770)  有望全面反彈。

(SK海力士重挫拖累南亞科,記憶體族群全面修正)

風險提示

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