記憶體漲勢趨緩？機構評估 Q2 漲幅縮窄至 30%，下半年進一步降溫
市場研究機構 SigmaIntell 最新預測指出，全球 DRAM 價格雖持續上漲，但漲幅將在 2026 年 Q2 至下半年明顯放緩至 30% 至 50%。在 AI 需求強勁與消費電子走弱的現狀下，DRAM 市場正出現結構性重組，供需缺口持續擴張。
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Q2 漲幅將收窄至 30% 至 50%，下半年高位趨穩
根據韓媒引述 SigmaIntell 報告指出，全球 DRAM 平均價格漲幅，預計將從 2026 年第一季的 70%，放緩至第二季的 30% 至 50% 左右。
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該機構分析師表示，DRAM 價格在 Q2 仍將延續上漲趨勢，但各產品線的漲幅將出現明顯分化：「DDR4 的漲幅將顯著收窄，而 DDR5 與 LPDDR5X 則仍具備進一步上漲的空間。」
進入 2026 年下半年，SigmaIntell 預計漲幅將進一步縮減至 5% 至 20%，年底前價格有望在高位趨於穩定。
分析師將此歸因於三項關鍵因素：DRAM 製造商產能分配逐漸穩定、AI 伺服器與雲端服務業者 (CSP) 緊急囤貨需求逐步消退，以及市場恐慌性搶購情緒的緩和。與此同時，隨著消費電子與 IT 產品需求走軟，DRAM 供給短缺的壓力也將在一定程度上獲得舒緩。
AI 需求爆發帶動超級週期，供需格局從過剩轉為緊缺
從更宏觀的供需結構來看，SigmaIntell 預測，全球 DRAM 供需平衡將從 2025 年的供過於求 8%，轉為 2026 年的供不應求 12%。這波始於 2025 年下半年、由 AI 驅動的 DRAM 超級週期，預計將延續至 2026 年全年。
需求端呈現明顯的兩極分化。AI 伺服器 DRAM 需求預計年增高達 105%，傳統伺服器 DRAM 需求成長則僅約 3%。
在高頻寬記憶體 (HBM) 方面，SigmaIntell 預計其佔全球 DRAM 晶圓產能的比例今年將突破 20%，HBM bit 需求亦預計年增 110%。隨著 HBM4 今年進入量產爬坡階段，HBM 持續擴張的產能占比，將進一步壓縮 DDR 產品的可用產能空間。
消費電子需求走弱，低階產品首當其衝
相較於 AI 端的強勁成長，消費電子與 IT 產品的 DRAM 需求則預計出現年減，其佔整體 DRAM bit 消耗的比例將從 2025 年的 54%，下滑至 2026 年的 42%。需求降幅最為明顯的品類，預計集中於低價 PC、低階智慧型手機及 IoT 裝置。
從合約價格走勢來看，伺服器 DRAM 合約價至 2026 年 Q1 末，已較 2025 年 Q2 上漲 3 至 4 倍，其中 DDR4 漲約 4 倍、DDR5 漲約 3.5 倍；消費電子與 IT 產品 DRAM 則因供給短缺從 2025 年 Q4 才開始發酵，至 Q1 末漲幅相對較低，約為 2 至 2.5 倍。
記憶體等零組件的成本壓力，已逐步轉嫁至終端產品售價，而售價上漲恐進一步抑制低階產品需求，形成需求下行的惡性循環。SigmaIntell 對此警告，消費電子與 IT 業者將難以繼續全面覆蓋所有市場與產品線，必須做出明確的策略取捨。
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風險提示
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