不只是 HBM!三星攜 AMD 亮相 OCP 2026,展示 CXL 記憶體擴充方案
隨著 AI 工作負載同時推高對記憶體頻寬與容量的需求,記憶體大廠的戰場不再侷限於 HBM。三星電子(Samsung Electronics)與 AMD 近日在 OCP Global Summit 2026 上,共同展示以 CXL(Compute Express Link)為基礎的記憶體擴充方案,透過 CMM-D 記憶體池化技術,讓多套系統能更有效率地共享記憶體資源並彈性擴充容量。三星野同場加映 HBM5、客製化 HBM 與新世代 SSD 等產品藍圖,顯示其正全面擴大 AI 記憶體佈局。
三星與 AMD 聯手展示 CXL 記憶體池化,瞄準 AI 容量瓶頸
韓媒 ZDNet 報導,三星這次與 AMD 合作展出的 CXL 記憶體擴充方案,核心在於 CMM-D 記憶體池化技術。簡單來說,傳統伺服器的記憶體容量受限於主機板上的插槽數量與系統設計,而透過 CXL 這類高速互連架構,多台系統得以共用同一個記憶體資源池,依實際需求調度,不必為每台機器各自配滿記憶體。
三星看重這項技術的原因,與 AI 應用型態的轉變有關。NewsPim 指出,三星認為隨著 AI agent 帶動推論階段的記憶體需求攀升,CXL 式記憶體擴充可望突破傳統系統的容量限制。換言之,在 HBM 負責提供高頻寬之外,CXL 補足了容量這一塊。
(輝達認記憶體缺口延燒多年:分析師看好 CXL3.0 生態爆發、五層次佈局一次看)
從 3 月 MOU 到蘇姿丰訪韓,三星與 AMD 合作升溫
這次聯合展示並非單一事件,三星與 AMD 早在今年 3 月就曾簽署合作備忘錄(MOU),同意擴大在新世代 AI 記憶體與運算技術上的合作。此次 OCP 現場的 CXL 展示,可視為雙方合作從協議走向實機呈現的一步。
鏈新聞此前報導,AMD 執行長蘇姿丰在上週訪問南韓期間,也與三星討論了在記憶體與晶圓代工技術上的潛在合作空間。合作範圍是否從記憶體延伸至代工,後續動向備受關注。
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三星擴大 AI 記憶體版圖:HBM5、客製化 HBM、PIM 齊發
除了 CXL,三星在 OCP 上也曝光了相當完整的 AI 記憶體與儲存路線。三星 AE Team 執行副總 Shim Ho-joon 在會中介紹了多項新世代技術,包括 HBM5、客製化 HBM、zHBM 與記憶體內運算(PIM),目標是提升資料處理速度與運算效率。
在容量與儲存端,三星一方面持續開發 CMM-D 與 CXL 方案以擴充 AI 系統記憶體,另一方面推進 QLC NAND 與 FDP(Flexible Data Placement)等新世代 SSD 技術,以改善儲存效能、容量與資料管理效率。針對推論負載成長帶來的資料處理壓力,三星還展示了 KV cache 最佳化與 Direct Storage 技術,期望提升 AI 系統的運作效率。
Samsung MAX Lab 搭橋客戶,代工實力同場亮相
為了讓新技術更貼近客戶需求,三星也強調透過 Samsung MAX Lab(Memory Application eXperience Lab)強化客戶合作。根據 NewsPim 報導,客戶可在商用化之前,於真實的 AI 工作負載下評估 PIM、CMM-D 與新世代 SSD 等技術,三星則能在產品開發初期就納入客戶的系統需求。
在記憶體之外,三星同場展示了 Groq LPU 晶圓與輝達的 Groq 3 LPX 系統,報導指出,相關晶片採用三星晶圓代工的 4 奈米製程量產。三星另展出一片以 2 奈米 GAA 製程製造的晶圓,凸顯其在代工領域的技術水準。
CXL:「後 HBM 時代」的下一個戰場?
HBM 目前仍是 AI 加速器的核心,但在推論需求擴大的趨勢下,容量擴充與資料管理將是另一條主線。CXL 的價值在於讓記憶體資源能被池化、共享與彈性配置,這也是 TrendForce 先前曾探討的議題,認為 CXL 可能成為後 HBM 時代的主要戰場之一。
不過,公開資訊仍有限。這次展示並未揭露具體效能數據、客戶名單或商用化時程,CXL 方案能否在資料中心大規模導入,仍有待後續驗證。
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