美光稱 4F² 是「煙霧彈」，長鑫回擊：年底前送樣給客戶
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在投資人關係紀錄中證實，第六代 DRAM 技術平台採用 4F² 架構，已通過工程樣品驗證，首款產品預計今年底前送樣給客戶，被視為回應美光先前對 4F² 的質疑。
美光表示將維持 6F² 路線，下一步直接轉向 3D DRAM；三星和 SK 海力士則仍在投入 4F² 研發。長鑫的消息也牽動全球記憶體股，財信傳媒董事長謝金河指出，市場最擔心的是中國業者殺價搶市。
長鑫 4F² 第六代 DRAM 通過樣品驗證，年底前送樣客戶
科技新報報導，長鑫日前在投資人關係紀錄中證實，第六代 DRAM 技術平台以 4F² 架構開發，已通過工程樣品驗證，首款產品預計 2026 年底前送樣給客戶。
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4F² 是一種 DRAM 記憶單元的設計方式，透過改變單元排列，把面積係數從主流的 6 降到 4，在同樣面積內放進更多記憶單元，提升晶片密度。
（中國長鑫存儲擬年底推出 4F² 次世代 DDR5 RDIMM，領先三星兩年）
美光堅守 6F² 路線，直言部分討論是「煙霧彈」
美光（MU）總裁暨技術產品長 Scott DeBoer 日前在技術研討會上表示，美光會繼續採用 6F² 技術，之後直接轉向 3D DRAM。他指出，美光研究 4F² 已超過 20 年，認為這項技術缺乏可行的微縮路徑，甚至形容部分相關討論只是「煙霧彈」。
美光認為，決定 DRAM 密度極限的關鍵在於電容的間距和尺寸，而不是電晶體的排列方式。
長鑫回應：各家架構成本不同，選擇值得尊重
長鑫回應，提升記憶體密度是複雜的系統工程，字元線、位元線和電容都在爭奪有限的空間。在特定製程節點下，不同架構在製程整合難度、微影步驟數和熱預算上各有成本考量，各家晶圓廠根據技術背景、現有產線、專利布局和資本支出做出不同選擇，都值得理解和尊重。
長鑫的 4F² 架構採用垂直環繞閘極（VSG）電晶體技術，目前已有超過 300 個公開專利家族，可以在深紫外光（DUV）微影技術能達到的尺寸下提升晶片密度。長鑫規劃在年底前後推出結合 4F² 和混合鍵合技術的 DDR5 RDIMM 伺服器模組，後續是否量產，將視客戶驗證和市場需求而定。
三星、SK 海力士也押注 4F²？兩大廠研發持續推進
三星在今年國際固態電路研討會（ISSCC 2026）上，展示結合垂直通道電晶體和晶圓級混合銅鍵合技術的 16Gb 4F² 原型晶片，計劃在 10a、10b、10c 三個製程節點採用 4F²，到 10d 節點再轉向 3D DRAM，三星半導體技術長宋載赫也證實，相關研發持續進行中。
SK 海力士同樣投入 4F² 研發，採用垂直閘極技術，預估可讓記憶體密度提升 20% 以上，今年 7 月已完成測試陣列的讀寫驗證，SK 海力士也計劃在 12 月的國際電子元件會議（IEDM）上，發表無電容 4F² 技術的論文。
長鑫消息為何衝擊記憶體股？謝金河：市場最怕中國殺價
工商時報報導，財信傳媒董事長謝金河 1 日發文表示，長鑫的消息讓市場大受驚嚇，全球記憶體股都受到影響。南韓股市和費城半導體指數都面臨破底壓力，SK 海力士股價已率先破底。
他強調，市場最大的恐懼是擔憂記憶體產業會像電動車一樣，因中國業者在全球殺價而陷入困境。不過，眼看長鑫自家股價從人民幣 61.8 元跌到 38.75 元，他指出，市場盛傳長鑫的高頻寬記憶體 HBM3E 良率可能只有 20% 到 30%，長鑫和三星、SK 海力士的技術差距看起來仍有一大段距離。
（群聯 CEO 潘健成談長鑫 4F² 技術：沒事找鬼故事、什麼都缺就是不缺訂單）
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