長鑫存儲 HBM3 良率僅 25%，百顆近八十顆過不了最終測試
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中國記憶體廠長鑫存儲的 HBM3 良率停在 25%。根據 Chip Briefing 引述朝鮮日報 9 月 9 日的報導，以八層堆疊的 HBM3 計算，每生產 100 顆產品，接近 80 顆過不了最終測試。
前段製程良率只有三成
這個數字拆開來看比較清楚。八層堆疊 HBM3 的前段製程良率約三成，通過的產品進到後段封裝測試又只有約七成能過最終檢驗，兩段相乘後的整體良率落在 25%。
產業界一般把 80% 視為可量產的「黃金良率」門檻。25% 大約是這個門檻的三分之一。
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SK 海力士自 2022 年量產以來良率逾九成
對照組是韓國廠商。報導指 SK 海力士自 2022 年量產 HBM3 以來，良率一直維持在九成以上。
報導把差距歸因於矽穿孔技術的成熟度。矽穿孔是堆疊多層 DRAM 的核心製程，負責在晶片之間打通垂直的電性連接，層數越多、對位與孔洞品質的要求越嚴。
消息來源為未具名的設備業人士
這些數字的出處需要說明。朝鮮日報引述的是一名熟悉長鑫存儲情況的半導體設備業高層，未具名，長鑫存儲本身沒有公布過 HBM3 的良率數據。
鏈新聞先前報導，長鑫存儲在法說會上公布 LPDDR6 量產與國產 DUV 進展，市場對其技術追趕速度的評價偏正面。良率這一項則指向相反的方向。
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