三星 4 奈米產能逾半配給 HBM4 底層晶片，月產 1.5 萬片
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三星電子把 4 奈米代工產能的一半以上配給 HBM4 底層晶片。根據 DigiTimes 報導，這條產線目前處於滿載狀態，公司正加快對主要 AI 晶片客戶的出貨。
4 奈米月產能 3 萬片，其中 1.5 萬片做 HBM4 底層晶片
報導指出，三星 4 奈米製程的產出中有 50% 到 60% 是 HBM4 的底層晶片。生產地點在平澤園區的第二與第三廠區，使用 S5 與 S6 兩條代工產線，這兩處的 4 奈米總產能約為每月 3 萬片晶圓，其中約 1.5 萬片投入 HBM4 底層晶片。
底層晶片是 HBM 堆疊的最下層，負責與主晶片溝通並控制整組記憶體。第六代的 HBM4 把這一層從記憶體製程移到邏輯代工製程做，所以會占用代工產能，這也是三星內部代工與記憶體部門資源分配會互相排擠的原因。
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代工產能被記憶體吃掉，排擠的是其他 4 奈米客戶
一條產線有一半以上被單一產品線占走，代表其他使用 4 奈米的客戶可分配到的產能相對受限。對需要在這個節點下單的設計公司來說，交期與配額會是接下來要確認的事。
三星在 HBM4 底層晶片上採用自家 4 奈米節點，內部代號 SF4，與其他記憶體廠把底層晶片委外的做法不同。鏈新聞先前報導，SK 海力士傳出考慮委由 Intel 代工 HBM4E 底層晶片，同一個環節在不同廠商手上出現了不同的解法。
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