華邦電迎戰記憶體大缺潮：731億擴建高雄廠、半年大方配息2元

Florence

42 分鐘前

台灣記憶體大廠華邦電（2344）今（3）日董事會與法人說明會接連釋出震撼彈：一面拍板 115 年上半年每股配發現金股利 2.0 元（總發放金額逾 94.4 億元），展現充沛獲利成果；另一面則宣布新台幣 731.63 億元資本支出，全力擴建南科高雄 12 吋廠第二期（Module B）工程。左手配高息回饋股東、右手簽下逾七百億元的擴產支票，華邦電總經理陳沛銘在法說會上描繪出的記憶體產業圖景，正是背後最強大的戰略依據——「預期2027、2028年記憶體供需仍維持偏緊。」

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記憶體結構性排擠發酵：三大原廠聚焦 HBM，常規記憶體缺口擴大

深入探討當前記憶體市況，看似「AI 獨熱、消費型終端偏弱」的表象下，實則暗藏供給側的巨大質變。

華邦電總經理陳沛銘在法說會上直言，儘管第四季一般 PC 與非 AI 消費性電子在歷經前幾季客戶積極拉貨後，目前拉貨步調略顯「鬆軟」與理性調節，但整體報價仍維持續漲態勢。關鍵不在於終端全面爆發，而在於三大廠（三星、SK海力士、美光）的產能傾斜。

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AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）與 DDR5 的需求呈現爆發式倍增，而 HBM 裸晶（Die）面積大、良率門檻高，嚴重消耗原廠有限的先進晶圓投片量。在三大廠產能大舉轉向 HBM 的蝴蝶效應下，標準型與利基型 DRAM 出現嚴重排擠效應。市場普遍認為，HBM 與 DDR5 需求快速擴張，排擠部分傳統DRAM供給，進一步推升供需吃緊程度。

731 億資本支出，高雄園區12吋晶圓廠擴建

華邦電本次並通過的 731.63 億元資本支出，涵蓋廠房興建、廠務設施工程、購置先進生產設備及資本化租賃資產，預計自 115 年 11 月起陸續依進度分批投入，資金來源為自有資金及銀行融資。

據了解，該筆龐大投資主要鎖定高雄廠第二期（Module B）的擴建工程，包含土建基礎設施、機電配置以及交期較長的半導體前段機台設備。業界評估，新廠規劃月產能約落在 5 萬至 6 萬片水準，此舉不僅有助於華邦電加速推進 20 奈米及更先進製程技術轉換，亦是針對邊緣運算 AI、車用電子及網通應用中長期需求的重要戰略佈局。