華邦電砸逾 700 億擴建高雄廠！14 奈米製程瞄準 EUV，最快 2030 年導入
記憶體產業景氣回升之際，台灣記憶體廠華邦電子（Winbond）也加速推進先進製程布局。華邦電總經理陳沛銘表示，公司正與艾司摩爾（ASML）合作開發極紫外光（EUV）製程，雙方合作已持續約三年半，若開發順利，預計最快 2030 年導入 EUV 技術。另一方面，華邦電近期通過逾 700 億元投資案，持續擴建高雄廠 Module B。
華邦電攜手 ASML，14 奈米製程分兩階段推進
陳沛銘指出，華邦電規劃的 14 奈米製程將分為兩個世代，第一代不使用 EUV，第二代則導入 EUV 技術，目標在開發順利的情況下，於 2030 年實現量產導入。
為此，華邦電已與 ASML 合作約三年半，目前也派遣人員前往 ASML 接受訓練，進行設備試跑及量測，提前準備後續製程開發。設備交期則是另一項關鍵限制。陳沛銘透露，ASML 承諾華邦電首台 EUV 設備約兩年內可以交付，但後續設備依照目前交期，可能需要約三年半。
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EUV 是目前先進半導體製程的重要技術，透過更短波長的極紫外光進行曝光，能夠減少傳統多重曝光所需的步驟，降低製程複雜度，並有助於改善生產效率及良率。
731 億元只是第一階段，高雄 Module B 規模更大
華邦電 11 月 3 日董事會通過 731.63 億元資本支出，正式啟動高雄園區 12 吋晶圓廠擴建計畫，資金將用於廠房興建、廠務設施及生產設備採購。
根據華邦電規劃，Module B 將於 2026 年 12 月 29 日動工，希望兩年內開始裝機，2029 年下半年小量生產，2030 年開始大量貢獻產能。
陳沛銘解釋，現階段核准金額主要涵蓋土建工程、機電設施，以及部分交期較長的設備，正常交期設備的投資金額將隨後續需求陸續增加。
Module B 最終規劃月產能約 5 萬至 6 萬片，約為目前高雄 Module A 的兩倍以上。若要完整開出產能，整體資本支出將遠高於目前核准金額。
此外，新廠設備配置仍須考量 16 奈米與 14 奈米製程的共用性、金屬層數等因素，現階段會優先安排交期較長的設備。建廠所需的機電、配管及二次配工程人力短缺，也是華邦電接下來必須克服的挑戰。
DDR3、DDR4 供應縮減，車用記憶體需求升溫
除了先進製程，華邦電目前的另一項成長動能來自成熟規格記憶體。陳沛銘指出，今年車用產品成長表現突出，車用記憶體約占全球記憶體市場 3% 至 4%。隨著國際大型記憶體廠陸續縮減 DDR3、DDR4 及 LPDDR4 供應，部分客戶開始積極尋找長期供應商，華邦電的訂單能見度因此提高。
值得注意的是，這些需求不完全來自舊設備維修或舊平台相容性，而是部分新平台仍採用 DDR3、DDR4 等成熟規格。過去華邦電需要主動向客戶推廣這些產品，如今則有更多客戶主動洽談長期供貨安排。
國際大廠將資源逐步轉向 DDR5、HBM 等高附加價值產品，DDR3、DDR4 及 LPDDR4 的供應縮減，反而替華邦電創造新的市場空間。尤其車用與工控產品具有較長的產品生命週期，客戶對供貨穩定性的要求高於單純追求最低價格。這種市場結構有利於華邦電透過長期供貨合約（LTA）提高訂單能見度。
風險提示
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