SK 海力士拿在美建廠當籌碼，籲美國晶片設備放寬出口中國大連廠
南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）正試圖用「在美國蓋新廠」換取「在中國擴產」的通行證。路透社週三引述兩位知情人士報導，SK 海力士美國子公司 Solidigm 正向華府申請出口許可，希望把美國晶片設備運往中國大連廠，作為在美國興建 NAND 工廠的條件。在川普政府施壓外國供應鏈廠商赴美投資、全球記憶體供應吃緊的背景下，氣氛顯得格外緊張。
Solidigm 申請追加大連設備許可，美國新廠成交易籌碼
根據知情人士說法，Solidigm 想在 SK 海力士大連廠的閒置空間安裝新設備，生產 NAND 快閃記憶體。NAND 是資料中心固態硬碟（SSD）的核心元件，支撐 AI 與雲端運算需求。大連廠現有機台來自泛林集團（Lam Research）、應用材料（Applied Materials）與科磊（KLA）等美國設備商。
他指出，Solidigm 為大連廠追加設備申請美國出口許可，並讓美國新廠計畫取決於該許可。其中一位消息人士稱，中國產能擴增有助於 Solidigm 為美國 NAND 廠籌資，並成為提高美國本土產量的過渡橋梁。另一位消息人士則說，Solidigm 也在評估最快明年進行首次公開發行（IPO），所募資金可協助支應美國廠。
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（SK 海力士子公司 Solidigm 擬美股上市，股權結構疑慮引發南韓半導體賣壓）
NAND 價格三年飆漲七倍，擴產誘因強烈
這項要求的時間點與市場情況高度相關。TechInsights 記憶體產業專家 Walt Coon 表示，歷經多年的低迷後，NAND 市場目前已轉為榮景，預期未來數年供給仍將吃緊，自 2023 年中以來價格已上漲七倍。
大連廠內有一塊 2023 年興建、被稱作「Mod B」的廠房空間。知情人士表示，當時因記憶體市場下滑，部分晶片製造設備尚未安裝完全，仍有大量空間可擴充。Solidigm 對此已另行申請出口許可，要為 Mod B 採購額外機台。
美國商務部收緊管制，2027 年許可尚未核發
問題在於，美方近年的政策方向與這項要求並不一致。美國為減緩中國發展可用於 AI 與軍事的先進半導體，已限制晶片設備出口，華府視相關技術攸關國家安全。
去年，商務部撤銷了給予海力士與三星的授權，該授權原本讓兩家公司在中國廠區使用美國設備時免申請許可，商務部稱其為「拜登時代的漏洞」。商務部改稱，將核發許可讓兩家公司維持現有中國廠運作，但不預期核准擴產或技術升級所需設備的許可。
12 月，商務部為 SK 海力士大連廠核發 2026 年許可，並限制設備數量。一位人士透露，商務部尚未核發 2027 年更多美製設備與技術的許可。
美國佈局同步推進，英特爾成合作夥伴
在爭取大連許可的同時，SK 海力士也在美國同步佈局。該公司正與英特爾（Intel）洽談，租用其位於俄亥俄州、規劃已久的晶片製造設施部分空間，並已在印第安納州動工興建 HBM 先進封裝廠。同時，Solidigm 也考慮在美國設立 NAND 廠。晶圓廠往往需耗時數年、投入數十億美元。
（SK 海力士傳洽談英特爾，合資落地美國生產本土記憶體晶片）
競爭方面，SK 海力士在全球 NAND 供應商中位居前二，排名落後三星電子；中國 NAND 大廠長江存儲（YMTC）則依據 Counterpoint Research 的數據，在 2026 年第二季升至全球第三。
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