3D堆疊DRAM成裝置端AI落地前提？SK海力士傳聯手Apple搶進次世代記憶體
SK 海力士（SK hynix）正式啟動 3D 堆疊式 DRAM-on-Logic 技術的商業化佈局，鎖定裝置端 AI（On-Device AI）的次世代記憶體需求，並已透過美國子公司在加州對外招募設計工程師。據悉 SK 海力士已與一家特定北美客戶展開聯合開發，分析師點名合作對象為 Apple。
在產業從生成式 AI 邁向實體 AI（Physical AI）的過程中，3D 堆疊 DRAM 被視為裝置端 AI 落地的關鍵前提，但距離大規模商用普及，技術與市場兩端都還有一段路要走。
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PoP 走到極限：3D 堆疊 DRAM 為何成裝置端 AI 解方？
現行智慧型手機普遍採用的記憶體封裝方式為 PoP（Package-on-Package），原理是將兩顆晶片直接上下疊放。這種架構在 AI 運算需求相對有限的時代尚能應付，但進入裝置端 AI 時代後，其侷限性愈發明顯：晶片間距較長、資料傳輸通道（I/O）數量有限，導致頻寬瓶頸與功耗偏高，難以同時滿足高頻寬與低功耗的需求。
3D 堆疊 DRAM-on-Logic 架構的出現，正是為了從根本突破這道限制。這項技術將 DRAM 記憶體直接垂直堆疊於邏輯晶片（Logic Die）之上，大幅縮短兩者間的物理距離，同時在相同封裝面積內提供更多資料傳輸通道。
相較於 PoP，該架構能顯著降低資料傳輸延遲、提升功耗效率並優化空間利用率。這三點，剛好是行動裝置端 AI 推論場景的核心訴求。目前，行動應用處理器（AP）被視為最具潛力的導入場景，蘋果（Apple）與高通（Qualcomm）是該領域的兩大主導廠商。
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SK 海力士次世代記憶體佈局：HBF 瞄準雲端、3D 堆疊主打裝置端
SK 海力士開發長 Ahn Hyun 今年 4 月在 TSMC 技術論壇上明確指出，公司未來的差異化方向將涵蓋三條技術路線：客製化 HBM、HBF（高頻寬快閃記憶體），以及 3D 堆疊 DRAM-on-Logic。
這三者並非替代方案間的競爭，而是針對不同場景的分工。HBF 鎖定雲端 AI 推論場景的大容量需求，透過將 NAND 快閃記憶體垂直堆疊的方式，填補 HBM 與傳統 SSD 之間的記憶體層缺口，以因應大語言模型推論時 KV 快取持續膨脹的容量壓力。3D 堆疊 DRAM-on-Logic 則瞄準端側 AI 的低功耗高頻寬需求，直接整合進行動裝置的核心邏輯晶片之上。
兩者一個在雲端伺服器解決容量問題，一個在終端裝置解決效能與功耗問題，在 SK 海力士的產品矩陣中各司其職。
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神秘北美客戶是誰？分析師點名 Apple
韓媒 Zdnet 引述 SK 海力士在美國子公司發出的職缺說明，該公司正在尋找能「與美國客戶緊密合作、主導 3D 堆疊 DRAM 邏輯晶片共同設計」的工程師，目標是「提供符合技術演進需求與市場需求的晶片設計解決方案」。
對於這位神秘北美客戶的身分，Citrini 分析師 Jukan 直接點名 Apple 是最可能的合作對象。他的理由是：「Apple 長期自研 A 系列與 M 系列晶片，高度重視封裝整合技術帶來的效能提升，且在記憶體技術合作上與 SK 海力士有長期往來。」
若合作屬實，將成為 Apple 在行動 AP 記憶體架構上一次重大的世代躍升。
裝置端 AI 普及的漫漫長路：記憶體是最後一道關卡
然而，即便 SK 海力士確實正推進記憶體前沿技術，Jukan 仍潑了一盆冷水：「3D 堆疊 DRAM 技術必須先到位，裝置端 AI 才有可能真正大規模落地，而這條路目前仍相當漫長。」
他反諷道：「除非廠商打算在智慧型手機裡塞進 128GB 的 LPDDR，否則現有記憶體架構根本無法撐起端側 AI 真正需要的運算規模。」
隨著 AI 模型的上下文長度持續膨脹，對記憶體的容量與頻寬要求迅速升高，但行動裝置的封裝空間與功耗預算幾乎沒有妥協餘地。3D 堆疊 DRAM-on-Logic 被視為打破僵局的技術路徑，但從招募工程師到技術成熟、再到量產導入終端產品，要完善整條供應鏈所需的時間與資源恐怕還需久候。
風險提示
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